一种基于CsPbBr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，涉及光学材料技术领域，包括以下步骤：（1）配制盐酸溶液；（2）以溶液1和含硫硅烷为原料，得溶液2；（3）以甲基丙烯酸N,N‑二甲氨基乙酯与ZPO为原料，得溶液3；（4）以溶液2、溶液3为原料，得溶液4；（5）制备有机‑无机光敏材料；（6）得到CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿前驱体液；（7）得到基于CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶；本发明专利技术方法制作一种可以让钙钛矿量子点能够稳定存在在光刻胶内的混合光刻胶，为稳定的钙钛矿量子点超分辨结构的制造提供可行性。本发明专利技术制备的掺杂CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿前驱体的有机‑无机光刻胶具有非常好的荧光发射特性合成的CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点可以稳定存在于光刻胶内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学材料，特别是一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿量子点（pqds）作为一种优秀新型光电纳米材料，其独特的光电性能使得它在近些年来被广泛应用于太阳能电池、 led技术、光电传感器、激光加工超分辨器件、光子存储等领域，它具有高发光效率、高载流子迁移率、易于合成、成本低廉等优秀特性，其中以下几种特点更是备受瞩目。到目前为止已经报道了它的众多高性能光电器件，有机-无机混合卤化物钙钛矿材料具有优秀的光致发光性能，并且有独特的发光峰位调控、粒子尺寸可调控性，其可以根据末位卤素元素（cl、br、i）的不同发射不同峰位的荧光的粒子调控发光性质，具有光谱分辨率高，强大的检测灵敏度，高光子利用效率等特性。

2、光刻是对光刻胶进行曝光使其发生化学变化，从而得到复杂精细的图形结构，可以进行大规模图案转移、加工结构具有高分辨率、高精度，对光刻过程中的曝光参数和光刻胶特性具有强可控性，适用于半导体制造、微电子、光学原件制造等众多领域。

3、基于此，提供一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于CsPbBr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于CsPbBr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，步骤（1）中盐酸溶液制备方法为：

3.根据权利要求2所述的一种基于CsPbBr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，所述缓慢搅拌的转速为50r/min；

4.根据权利要求1所述的一种基于CsPbBr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述含硫硅烷为3-(三甲氧基甲硅烷基)-1-丙硫醇。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，步骤（1）中盐酸溶液制备方法为：

3.根据权利要求2所述的一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，所述缓慢搅拌的转速为50r/min；

4.根据权利要求1所述的一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述含硫硅烷为3-(三甲氧基甲硅烷基)-1-丙硫醇。

5.根据权利要求4所述的一种基于cspbbr3钙钛矿前驱体的纳米复合材料光刻胶制备方法，其特征在于，所述3-(三甲氧基甲硅烷基)-1-丙硫醇与所述溶液1混合用量为13.03-26.06ml。

6.根据权利要求1所述的一种基于cspbbr3钙钛矿前...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡博渊，平鹏，蔚浩义，姜浩然，张轶楠，王琪，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：