Micro-LED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro‑LED显示面板及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)提供半导体发光结构；(2)在半导体发光结构上制备电流扩展层、第一金属反射层和第一键合层；(3)提供驱动基板，驱动基板表面间隔设有第二键合层；(4)将半导体发光结构键合至驱动基板上，形成金属键合层；(5)制备出单个Micro LED像素；(6)在单个Micro LED像素间沉积钝化层，并暴露出N型半导体层；(7)在所述钝化层外制备共N电极；(8)在Micro LED像素之间制备第二金属反射层，并在第二金属反射层上喷涂荧光粉层，得到Micro‑LED显示面板。本发明专利技术能够减少键合金属刻蚀的厚度，从而减少刻蚀对芯片侧壁的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种micro-led显示面板及其制备方法。

技术介绍

1、micro-led技术是一种尖端显示技术，它具备多项显著优势，包括超高亮度、卓越对比度、迅捷响应时间、低能耗及长久的使用寿命。此外，micro-led还能打造更薄、更轻、更柔韧的显示面板，同时提供更高的分辨率以及更广阔的色域。凭借这些突出优点，该技术已被广泛应用于ar和vr的微型显示模组，并预计将进一步拓展至汽车像素化大灯领域。为实现显示，需要将micro-led芯片与cmos驱动基板集成在一起，目前晶圆键合作为常用的集成技术被大规模应用，晶圆键合不仅键合效率高，而且无需精密对位，通过对整个晶圆进行键合，再使用传统的半导体加工技术进行刻蚀，以形成独立控制的像素单元。然而，对键合层金属进行刻蚀时，高功率的ibe刻蚀会对mesa侧壁造成较大损伤，从而影响发光效率及亮度，此外键合层金属常采用金锡合金，该材料在紫光波段具有较强的吸光性能，导致micro-led芯片的亮度显著降低，难以满足像素化大灯对显示组件亮度的高要求。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(2)包括以下步骤：在所述P型半导体层上制备电流扩展层、第一金属反射层、第一金属保护层、第一键合层和第二金属保护层。

3.如权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(3)包括以下步骤：

4.如权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(5)包括以下步骤：

5.如权利要求2所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述电流扩...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(2)包括以下步骤：在所述p型半导体层上制备电流扩展层、第一金属反射层、第一金属保护层、第一键合层和第二金属保护层。

3.如权利要求1所述的micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(3)包括以下步骤：

4.如权利要求1所述的micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，步骤(5)包括以下步骤：

5.如权利要求2所述的micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，所述电流扩展层的材料为ito、izo、igzo中的一种或多种，厚度为15nm～200nm；

6.如权利要求3所述的micro-led显示面板的制备方法，其特征在于，所述第三金属保护层的材料为cr和/或ti，厚度为30nm～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫，陈凯，邱壹铧，董泽鑫，李怡晓，徐亮，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：