一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明专利技术的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，有效降低器件的导通压降；正向关断时，第一MOS导通降低阴极P+电位，控制SOI LIGBT寄生二极管截止，退出电导调制。随着耗尽区扩展，第三MOS导通进一步降低阴极P+电位，第二MOS关闭使阴极N+电位升高，控制SOI LIGBT槽栅沟道的电子注入迅速降低，有效降低关断损耗，缓解V<subgt;on</subgt;～E<subgt;off</subgt;矛盾关系；短路状态下，随着阳极电压升高，第二MOS夹断P沟道，阴极N+电位升高，降低阴极N+电子电流，提高器件的抗短路能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体，涉及一种集成mos自适应控制soi ligbt(lateral insulated gate bipolar transistor，横向绝缘栅双极型晶体管)。

技术介绍

1、igbt是电能变换和传输的核心器件，结合了双极bjt和单极mosfet器件的优势，具有开通损耗小、输入阻抗大、控制电路简单和工作频率高等优点，被广泛应用在通信技术、电动汽车、新能源装备、智能电网、轨道交通和军工航天等领域。soi基ligbt具有埋氧层，可以隔离衬底层与器件有源层，其具有泄漏电流小，寄生电容小，抗辐照能力强，便于集成的优势，促使soi ligbt成为单片功率集成芯片的核心元器件。

2、igbt得益于导通时漂移区内的电导调制效应，可以在保证低的导通压降的同时也能保证高击穿电压。然而关断时，存储在漂移区的大量载流子会使器件出现较长的拖尾电流，特别是漂移区内电子缺少释放通道，造成较大的关断损耗，限制igbt的高频应用。因此，导通压降和关断损耗的矛盾仍是igbt的基本问题。缓解二者矛盾关系的典型技术有以下三种。其一，寿命控制技术可使漂移区内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成MOS自适应控制SOILIGBT，包括自下而上依次层叠设置的P衬底(1)、埋氧层(2)和N漂移区(3)；沿器件横向方向，所述的N漂移区(3)上层从一侧到另一侧依次具有集成MOS结构、阴极结构、栅极结构和阳极结构；

【技术特征摘要】

1.一种集成mos自适应控制soiligbt，包括自下而上依次层叠设置的p衬底(1)、埋氧层(2)和n漂移区(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏杰，赵凯，卢金龙，魏雨夕，刘人宽，朱鹏臣，王俊楠，罗小蓉，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：