【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、目前，一般的薄膜晶体管通常使用非晶硅半导体作为通道材料。由于非晶硅半导体制作工艺简单、成本低廉，因此被广泛应用于各种薄膜晶体管中。然而，随着显示技术的不断进步，显示面板的分辨率也不断提升。为了缩小像素电路中薄膜晶体管的尺寸，众多制造商正致力于研发具有更高载流子迁移率的半导体材料，其中包括金属氧化物半导体材料。
2、这些新型半导体材料的研发旨在提升薄膜晶体管的性能，进而增强显示器件的整体效能。金属氧化物半导体材料具有卓越的电子迁移率，能够应对不断提升的分辨率需求。因此，制造商利用金属氧化物半导体以实现更小、更高效的像素配置，同时确保显示品质的持续提升。这也推动了半导体材料领域的技术创新和制作工艺改进。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具有占地面积小的优点。
2、本专利技术的至少一实施例提供一种半导体装置，其包括第一电极、第一隔离结构、第二电极、半导体结构、栅介电层以及栅...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一隔离结构包括暴露出该第一侧壁的第一通孔，其中该第一通孔重叠于该第一电极，且该半导体结构填入该第一通孔中。
3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一隔离结构包括具有该第一侧壁的第一通孔，其中该绝缘结构覆盖部分的该第一通孔。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：
7.一种半导体装置的制造方法，包括：
8.如权利要求7所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一隔离结构包括暴露出该第一侧壁的第一通孔，其中该第一通孔重叠于该第一电极，且该半导体结构填入该第一通孔中。
3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一隔离结构包括具有该第一侧壁的第一通孔，其中该绝缘结构覆盖部分的该第一通孔。
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：范扬顺，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。