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本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括第一电极、第一隔离结构、第二电极、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一隔离结构位于第一电极的顶面之上。第二电极位于第一隔离结构之上。半导体结构包括接触第一电极的顶面的第一导电区、接触第...
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