【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造领域，具体为一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备。
技术介绍
1、现有的针对深亚微米接近极紫外技术节点的制程，浸入式光刻机分辨率达不到光刻线宽分辨率要求，即使采用euv光刻机工艺窗口也偏小，需要采用多重曝光技术，但是要进行图形分解，形成多张光刻版；
2、对于步进式光刻机，随着使用时间的增加，镜头老化导致成像效果变差，进而导致分辨率下降的问题，通过改造曝光工件台，经过不同的晶圆倾斜角多次曝光，减小机台老化带来的分辨率下降问题。
3、这些技术成果，要么是通过机台硬件改造、创新，要么是多重曝光使用不同的光刻版改善厚胶形貌，分辨率还是达不到光刻线宽的要求。
技术实现思路
1、本专利技术的提供了一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备，解决了光刻机镜头等核心硬件老化导致光刻工艺窗口变小的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，包括：
...【技术保护点】
1.一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，二次曝光作业条件包括光刻版顺序和对应光刻版的挡板数据。
3.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，光刻版顺序根据一次曝光后的曝光场的大小和分布获得。
4.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，对应光刻版的挡板数据包括X-，X+，Y-，Y+，X，Y共六项数值。
5.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移...
【技术特征摘要】
1.一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，二次曝光作业条件包括光刻版顺序和对应光刻版的挡板数据。
3.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，光刻版顺序根据一次曝光后的曝光场的大小和分布获得。
4.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，对应光刻版的挡板数据包括x-，x+，y-，y+，x，y共六项数值。
5.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，确定对应光刻版的挡板数据的同时，要确定挡板数据在yx项上的偏移量。
6.根据权利要求2所述的一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法，其特征在于，挡...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永勋，郎刚平，闫树文，马少亮，李攀，田曙光，葛洪磊，刘存生，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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