包含含有多环芳香族的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

一种抗蚀剂下层膜，是作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物的、抗蚀剂下层膜，上述抗蚀剂下层膜形成用组合物含有聚合物，上述聚合物含有：具有多环芳香族烃结构的单元结构(A)、和来源于马来酰亚胺结构的单元结构(B)中的至少任一单元结构，上述抗蚀剂下层膜的膜厚小于10nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及抗蚀剂下层膜、eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、半导体加工用基板、半导体元件的制造方法、图案形成方法、抗蚀剂图案的lwr的改善方法。

技术介绍

1、在lsi(半导体集成电路)等半导体装置中，随着集成度的提高，要求形成微细图案，近年来的最小图案尺寸达到100nm以下。

2、这样的半导体装置中的微细图案的形成通过曝光装置中的光源的短波长化、和抗蚀剂材料的改良而实现了。现在，进行以作为深紫外线的波长193nm的arf(氟化氩)准分子激光作为光源，经由水进行曝光的浸液曝光法，关于抗蚀剂材料，也开发了以丙烯酸系树脂作为基础的各种arf对应抗蚀剂材料。

3、进一步，作为新一代的曝光技术，进行了采用电子射线(eb：electron beam)的eb曝光法、或以波长13.5nm的软x射线作为光源的euv(超紫外线)曝光法的研究，图案尺寸为30nm以下，更进一步的微细化推进。

4、然而，随着这样的图案尺寸的微细化，抗蚀剂图案侧壁的间隙(ler；line edgeroughness(线边缘粗糙度))和抗蚀剂图案宽度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜，其为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(A)中的所述多环芳香族烃结构包含选自萘、蒽、菲、咔唑、芘、苯并[9,10]菲、并四苯、联苯烯、和芴中的至少1种结构。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(B)由下述式(4)表示，

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述聚合物进一步含有：具有交联形成基的单元结构(C)。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(C)中的所述交联形成基包含选自羟基、环氧基、被保护了的羟基、和被保护了的羧基中的至...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜，其为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(a)中的所述多环芳香族烃结构包含选自萘、蒽、菲、咔唑、芘、苯并[9,10]菲、并四苯、联苯烯、和芴中的至少1种结构。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(b)由下述式(4)表示，

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述聚合物进一步含有：具有交联形成基的单元结构(c)。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜，所述单元结构(c)中的所述交联形成基包含选自羟基、环氧基、被保护了的羟基、和被保护了的羧基中的至少1种基团。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含交联剂。

7.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含固化催化剂。

8.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜，其为eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜。

9.一种eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有：具有多环芳香族烃结构的单元结构(a)、和具有马来酰亚胺结构的单元结构(b)中的至少任一单元结构。

10.根据权利要求9所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述单元结构(a)中的所述多环芳香族烃结构包含选自萘、蒽、菲、...

【专利技术属性】
技术研发人员：水落龙太，绪方裕斗，田村护，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：