【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于芯片设计，尤其涉及一种晶圆键合布局结构及三维集成电路芯片。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，大规模电路和超大规模电路随之诞生。相应地，集成电路中的晶体管密度也呈几何式的增长。通过在平面内设置互连线来连接晶体管的方式占据了过多的芯片面积，并且当制造工艺随摩尔定律迭代到一定尺度后，互连线延迟已经成为不可忽视的一部分。因此，在设计芯片时，三维堆叠技术成为当前主流突破方案。在三维堆叠技术中，键合是其制造技术的核心工艺技术，经历了从微凸点(micro-bump)、铜柱凸点(cupillar)到晶圆键合的技术迭代过程，现在已经从介质晶圆键合技术发展到了最先进的混合键合(hybrid bonding，hb)技术。混合键合技术可以在芯片之间实现更多的互连，并带来更低的电容，降低每个通道的功率，并让我们朝着提供最好产品的方向发展。
2、当前的晶圆键合布局结构一般是由晶圆加工厂提供的。在晶圆加工厂提供的晶圆键合布局结构中，一些键合单元没有与芯片顶层引脚实现完全的连接，由此影响了芯片的供电性能及均衡性。
【技术保护点】
1.一种晶圆键合布局结构，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片以及设置在所述第一芯片和第二芯片之间的混合键合结构，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，所述第一芯片包括第一顶层金属层，所述第二芯片包括第二顶层金属层，所述第一顶层金属层包括多个第一顶层引脚；所述第二顶层金属层包括多个第二顶层引脚；其中：
3.根据权利要求2所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，所述第一键合单元包括依次连接的第一转换层、第一通孔、第二通孔和第二转换层，所述第一转换层与所述第一顶层引脚连接，所述第二转换层与所述第二顶层引脚连接，所述第二键合单元包...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合布局结构，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片以及设置在所述第一芯片和第二芯片之间的混合键合结构，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，所述第一芯片包括第一顶层金属层，所述第二芯片包括第二顶层金属层，所述第一顶层金属层包括多个第一顶层引脚；所述第二顶层金属层包括多个第二顶层引脚；其中：
3.根据权利要求2所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，所述第一键合单元包括依次连接的第一转换层、第一通孔、第二通孔和第二转换层，所述第一转换层与所述第一顶层引脚连接，所述第二转换层与所述第二顶层引脚连接，所述第二键合单元包括所述第一通孔和第二通孔，其中：
4.根据权利要求3所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，在同一所述第一键合单元中，所述第一通孔在所述第一芯片上的正投影的中心、所述第一转换层在所述第一芯片上的正投影的中心、所述第二通孔在所述第一芯片上的正投影的中心以及所述第二转换层在所述第一芯片上的正投影的中心重合于一点。
5.根据权利要求3所述的晶圆键合布局结构，其特征在于，当相邻的两个所述键合单元均为所述第一键合单元时，相邻两个所述第一键合单元的第一通孔之间的最短距离为1.249至1.873微米之间，相邻两个所述第一键合单元的第一转换层之间的最短距离为1.489至2.233微米之间，相邻两个所述第一键合单元的第二通孔之间的最短距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋黎，何瑞洲，
申请(专利权)人：声龙新加坡私人有限公司，
类型：新型
国别省市：
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