半导体模块、半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术抑制焊接半导体模块的端子时的绝缘片的损伤。半导体模块(10A)具备从树脂壳体(11)向外侧延伸的绝缘片(14)、第一端子(13)以及第二端子(15)。第一端子(13)以在俯视时与绝缘片(14)重叠的方式配置于第一面(14a)侧，并具有与第一面(14a)分离的第一前端部(13a)。第二端子(15)以在俯视时与绝缘片(14)和第一端子(13)重叠的方式配置于第二面(14b)侧，并具有与第二面(14b)分离的第二前端部(15a)。绝缘片(14)从树脂壳体(11)延伸至比第一前端部(13a)和第二前端部(15a)更靠外侧的位置。对与绝缘片(14)分离的第一前端部(13a)和第二前端部(15a)进行焊接，抑制在焊接时绝缘片(14)产生损伤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体模块、半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、例如，具有电力转换功能的半导体模块内置功率器件。作为功率器件，使用igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(metal oxidesemiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等。为了使所施加的直流电压稳定，有时在半导体模块连接有电容器(condenser)。

2、关于与电容器连接的半导体模块，已知有设置以下那样的端子部的技术。即，作为半导体模块的端子部，已知有设置端子层叠部的技术，在该端子层叠部，第一功率端子、绝缘片以及第二功率端子依次重叠，第一功率端子的一部分从绝缘片露出，第二功率端子与该一部分夹着绝缘片的平台部而位于绝缘片上(专利文献1)。在这样的端子层叠部的从绝缘片露出的第一功率端子以及绝缘片上的第二功率端子分别激光焊接有电容器的第一连接端子和第二连接端子。

3、另外，关于具有与以夹着半导体元件的方式配置的第一导电部件和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

5.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体模块和电容器，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是包括半导体模块和电容器在内的半导...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

5.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体模块和电容器，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：中込旭人，加藤辽一，村田悠马，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：