具有非共享功函数金属的堆叠FET制造技术

提供了一种半导体结构，其包括堆叠在第二FET器件上的第一FET器件，其中第一FET器件包含含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二FET器件包含含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。在该结构中，第一功函数金属不存在于包括第二功函数金属的区域中，反之亦然。因此，在半导体结构中不存在共享功函数金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请涉及半导体技术，并且更具体地涉及堆叠式场效应晶体管(fet)及其形成方法。

技术介绍

1、堆叠fet包括垂直堆叠在第二fet器件顶部上的第一fet器件。堆叠可以允许较小规模的器件，但是非常难以实现用于堆叠器件的独立栅极。

技术实现思路

1、提供了一种半导体结构，其包括堆叠在第二fet器件上的第一fet器件，其中第一fet器件包含含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二fet器件包含含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。在该结构中，第一功函数金属不存在于包括第二功函数金属的区域中，反之亦然。因此，在半导体结构中不存在共享功函数金属。

2、在本申请的一个方面，提供了一种半导体结构。在一个实施例中，半导体结构包括堆叠在第二fet器件上的第一fet器件，其中第一fet器件包括含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二fet器件包括含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。堆叠器件分隔电介质材料层位于第一fet器件和第二fet器件之间。第一栅极切口电介质结构与第一fet器件横向相邻地定位，并且第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中与所述第一栅极切口电介质结构的不穿过所述开口并且与所述第一FET器件横向相邻地存在的部分的宽度相比，所述第一栅极切口电介质结构的穿过所述开口的部分具有扩大的宽度，其中该扩大的宽度防止所述第一功函数金属存在于所述第二FET器件中并且防止所述第二功函数金属存在于所述第一FET器件中。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一栅极切口电介质结构的穿过所述开口的部分直接接触所述第二栅极切口电介质结构的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一FET器件包括至少一个半导体纳...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中与所述第一栅极切口电介质结构的不穿过所述开口并且与所述第一fet器件横向相邻地存在的部分的宽度相比，所述第一栅极切口电介质结构的穿过所述开口的部分具有扩大的宽度，其中该扩大的宽度防止所述第一功函数金属存在于所述第二fet器件中并且防止所述第二功函数金属存在于所述第一fet器件中。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一栅极切口电介质结构的穿过所述开口的部分直接接触所述第二栅极切口电介质结构的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一fet器件包括至少一个半导体纳米片，并且所述第二fet器件包括至少一个半导体鳍。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一fet器件包括至少一个半导体纳米片，并且所述第二fet器件包括至少一个半导体纳米片。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括另一第一fet器件，所述另一第一fet器件与所述第一fet器件横向相邻定位并且由所述第一栅极切口电介质结构分开，其中所述另一第一fet器件包括第三功能栅极结构，所述第三功能栅极结构具有第三功函数金属。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括另一第二fet器件，所述另一第二fet器件与所述第二fet器件横向相邻地定位并且由所述第二栅极切口电介质结构和所述第一栅极切口电介质结构的穿过所述开口的部分分开，其中所述另一第二fet器件包括第四功能栅极结构，所述第四功能栅极结构具有第四功函数金属。

8.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一栅极切口电介质结构接触第一导电触点的第一表面，所述第一导电触点包含层间电介质(ild)材料层，其中包含ild材料层的第一导电触点包含第一源极/漏极触点结构，所述第一源极/漏极触点结构接触所述第一fet器件的源极/漏极区域。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，进一步包括背侧功率输送网络，所述背侧功率输送网络位于包含ild材料层的第一导电触点的第二表面上，第二表面与包含ild材料层的导电触点的第一表面相对。

10.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二栅极切口电介质结构接触第二导电触点的第一表面，所述第二导电触点包含ild材料层，其中包含ild材料层的第二导电触点包含接触所述第二fet器件的源极/漏极区域的第二源极/漏极触点结构、接触所述第二功能栅极结构的第二栅极触点结构、接触所述第一功能栅极结构和所述第二功能栅极结构两者的共享栅极触点结构、以及接触所述第一功能栅极结构但不接触所述第二功能栅极结构的第二栅极触点结构。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，进一步包括位于包含ild材料层的第二导电触点的第二表面上的后端线结构，第二表面与包含ild材料层的第二导电触点的第一表面相对。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一功能栅极结构和所述第二功能栅极结构还包括高k栅极电介质材料层，其中所述高k栅极电介质材料层接触所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢瑞龙，J·弗洛吉尔，王俊利，郭德超，鲍如强，R·克里什南，B·普拉纳瑟提哈兰，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：