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提供了一种半导体结构，其包括堆叠在第二FET器件上的第一FET器件，其中第一FET器件包含含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二FET器件包含含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。在该结构中，第一功函数金属不存在于包括第二功函数金属...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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