半导体刻蚀腔体清扫系统技术方案

本发明专利技术公开了一种半导体刻蚀腔体清扫系统，包括气源通过一级气路、二级气路Ⅰ、二级气路Ⅱ、三级气路Ⅰ、三级气路Ⅱ、三级气路Ⅲ和三级气路Ⅳ分别连接均匀的分布在半导体刻蚀腔体侧壁上的第一气孔～第八气孔；第一阀布置在一级气路的总进路上，其用于控制进入一级气路的流量；第二阀布置在二级气路Ⅰ上，其用于控制进入三级气路Ⅰ的流量；第三阀布置在二级气路Ⅰ上，其用于控制进入三级气路Ⅱ的流量；第四阀布置在二级气路Ⅱ上，其用于控制进入三级气路Ⅲ的流量；第五阀布置在二级气路Ⅱ上，其用于控制进入三级气路Ⅳ的流量；本发明专利技术在不旋转晶圆的情况下，能吹扫的晶圆的各个位置以及腔体部件，进而实现自动、高效、高质的半导体刻蚀腔体清扫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体刻蚀腔体清扫系统。

技术介绍

1、随着半导体工艺关键尺寸越来越小，工艺过程中的缺陷将是影响良率的关键因素，减少产线各工艺流程缺陷变得至关重要。

2、在半导体工艺流程中，浅沟槽隔离刻蚀、多晶硅刻蚀以及锗硅刻蚀通常需要使用刻蚀腔体，刻蚀腔体工作过程中，受liner door开关门过程中的长期摩擦损耗和刻蚀副产物的堆积而形成颗粒缺陷，如图1所示。当晶圆在传输进入腔体过程中或者晶圆在静电吸附卡盘esc上放置作业中，liner door附着的颗粒缺陷易掉落到晶圆表面，经刻蚀形成block缺陷，如图2所示，从而影响良率。

3、因此，如何降低liner door部件附着颗粒缺陷是降低该类型block缺陷的亟需要解决的技术问题。

4、现有技术是通过在刻蚀腔体上布置气孔，通过气动阀控制气孔进气，对晶圆进行吹扫。但是，这种方案只能对晶圆的一侧执行吹扫，而位于气孔对侧的晶圆表面的残留颗粒会显著的多于靠近气孔晶圆表面的残留颗粒。若对晶圆进行旋转使气孔能均匀吹扫晶圆表面个位置，则增加了工艺难度和设备成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：第一气孔(14)和第二气孔(15)位于衬套门(22)上方的刻蚀腔体侧壁(23)上。

3.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

4.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

5.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

6.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

7.如权利要求6所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：其余开启的各阀开度相同。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：第一气孔(14)和第二气孔(15)位于衬套门(22)上方的刻蚀腔体侧壁(23)上。

3.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

4.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

5.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其特征在于：

6.如权利要求1所述的半导体刻蚀腔体清扫系统，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯奇艳，陈敏杰，许进，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：