【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种整合高压元件、中压元件以及低压元件的方法。
技术介绍
1、以目前的半导体技术水准，业界已能将控制电路、存储器、低压操作电路以及高压操作电路及元件同时整合制作在单一芯片上，由此降低成本，同时提高操作效能，其中如垂直扩散金属氧化物半导体(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor,vdmos)、绝缘栅极双载流子晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)以及横向扩散金属氧化物半导体(lateral-diffusion metal-oxide-semiconductor,ldmos)等制作在芯片内的高压元件，由于具有较佳的切换效率(power switching efficiency)，因此又较常被应用。如熟悉该项技艺者所知，前述的高压元件往往被要求能够承受较高的击穿电压，并且能在较低的阻值下操作。
2、另外随着元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展...
【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一曲面以及该第二曲面包含下凹曲面。
3.如权利要求2所述的方法，其中该第一外延层的该顶表面包含第三曲面连接该第一曲面以及该第二曲面。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第三曲面包含上凹曲面。
5.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含第一区域、第二区域以及第三区域，该方法包含：
6.如权利要求5所述的方法，其中该第四曲面以及该第五曲面包含下凹曲面。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第二外延层的该顶表面包含第六曲...
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一曲面以及该第二曲面包含下凹曲面。
3.如权利要求2所述的方法，其中该第一外延层的该顶表面包含第三曲面连接该第一曲面以及该第二曲面。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第三曲面包含上凹曲面。
5.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含第一区域、第二区域以及第三区域，该方法包含：
6.如权利要求5所述的方法，其中该第四曲面以及该第五曲面包含下凹曲面。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第二外延层的该顶表面包含第六曲面连接该第四曲面以及该第五曲面。
8.如权利要求7所述的方法，其中该第六曲面包含上凹曲面。
9.如权利要求5所述的方法，其中该第三外延层包含六角形。
10.如权利要求5所述的方法，其中该第一区域包含高压区、该第二区域包含中压区以及该第三区域包含低压区。
11.一种半导体元件，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨智伟，卢世敏，曾纪昇，王尧展，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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