一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构及制备方法技术

本发明专利技术介绍了一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构及制备方法，包括：S1、准备两块内部嵌入深度可调节旋钮的载板，作为上载板和下载板；S2、分别在上、下载板上进行WB植球打线，然后调整拉伸金属线；S3、使用电介质材料对金属线阵列进行填充，包封固定；S4、去除上下载板，将电介质材料包封的金属线阵列按照需要的厚度进行切片，获得电介质材料包封的导通孔载板；S5、对导通孔载板表面进行研磨、抛光以及等离子体清洗后，在其表面上加工出RDL线层；S6、对带有RDL线层的导通孔载板进行切割，获取单颗载板，用于后续芯片封装。通过上述设计，本申请能够实现通孔上下直径相等，进而促进芯片信号的传输、导电、导热性能加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体芯片封装领域，具体涉及一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构及制备方法。

技术介绍

1、现有的高密度线路层通常有3种设计，分别为tsv转接板、tgv转接板以及rdl转接板；其都是采用先制备载板后制造通孔工艺技术，因此制造技术复杂、工序多、难度大；而且通孔是采用电镀铜填充工艺，铜填充质量是行业痛点，容易出现孔隙，气隙、填充不完整等问题；而采用等离子增强化学沉积技术代替传统的电镀工艺，又存在填充效率低下，加工周期长，制造成本高昂的问题。

2、中国专利cn103295915a公开的一种tsv转接板的制作方法及tsv转接板，该方法包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底的表面制作牺牲层；利用光刻和刻蚀技术在所述衬底上制作贯穿所述衬底和所述牺牲层的通孔；在所述通孔位置制作导电柱和凸点，所述凸点位于所述导电柱的顶端，而且所述凸点的顶部高出所述牺牲层的上表面；将位于所述牺牲层上表面的材料去除；将位于所述衬底上表面的所述牺牲层去除，从而在所述通孔位置获得凸点。诸如上述，类似于tsv转接板和tgv转接板，其通孔成形尺寸一致性差异较大，是锥形孔，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，包括导通孔载板、芯片、被动元件；

2.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述导通孔载板的金属通孔的上、下横截面的面积相等。

3.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述芯片的电路面朝上，所述被动元件的焊盘面朝上。

4.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述凹槽深度50um-800um。

5.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，包括导通孔载板、芯片、被动元件；

2.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述导通孔载板的金属通孔的上、下横截面的面积相等。

3.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述芯片的电路面朝上，所述被动元件的焊盘面朝上。

4.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，其特征在于，所述凹槽深度50um-800um。

5.根据权利要求1所述的一种通孔先行的介电层包封通孔的转接板结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶跃峰，
申请(专利权)人：上海白泽芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：