一种夹层栅线太阳能电池制备方法技术

本申请公开一种夹层栅线太阳能电池制备方法包括：硅基底抛光；硼扩制正面PN结；去绕镀；背面沉积隧穿氧化层和第一多晶硅层；磷扩形成P型多晶硅层和含磷硅基底；去绕镀；P型多晶硅层上沉积第一钝化层组后印刷第一电极栅线并烧结；第一钝化层组上依次沉积氮氧化硅层、第二钝化层组；在第二钝化层组上印刷第二电极栅线并烧结，第二、第一电极栅线不接触；在第二钝化层组上依次沉积氮化硅层、第一氧化铝层、第二多晶硅层，对第二多晶硅层进行硼扩散形成含硼硅基底，在含硼硅基底上沉积第三多晶硅层并进行磷扩散，形成第二背面PN结；双面制绒面结构层、第二氧化铝层和减反膜组。本申请可制备夹层栅线太阳能电池，解决电栅线遮光问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制造，具体涉及一种夹层栅线太阳能电池制备方法。

技术介绍

1、太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域。为此，人们研制和开发了光伏电池，尤其是隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(topcon)，作为新一代的太阳能电池被广泛应用。

2、然而，现有的topcon太阳能电池存在一个问题，即正背面栅线的遮挡会影响光能的有效利用。当光线遇到栅线时，一部分光线会被栅线表面反射，而另一部分光线会穿过栅线但会发生折射。这些反射和折射现象会使得光线在穿过电池表面时发生散射，一部分光线无法直接被太阳能电池吸收，从而降低了光能的有效利用率。尤其是在光照条件较弱或光线入射角度不利的情况下，栅线的遮挡效应会更加显著。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种夹层栅线太阳能电池制备方法，用于制备夹层栅线太阳能电池，以解决现有技术中正背面栅线的遮挡会影响光能的有效利用的问题。

2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤S1中，抛光用碱溶液为H2O、NaOH和抛光添加剂按体积比为300：18：5组成的混合溶液，NaOH浓度为3％，碱溶液温度为60±15℃，处理时长为300±20s。

3.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤S2中，硼扩散的温度为850±30℃，扩散时长为650±50s，氧化温度为920±20℃，氧化时长为4200±200s。

4.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤s1中，抛光用碱溶液为h2o、naoh和抛光添加剂按体积比为300：18：5组成的混合溶液，naoh浓度为3％，碱溶液温度为60±15℃，处理时长为300±20s。

3.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤s2中，硼扩散的温度为850±30℃，扩散时长为650±50s，氧化温度为920±20℃，氧化时长为4200±200s。

4.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤s3中，通过酸洗和碱洗去除所述背面bsg层、所述侧面bsg层、所述第一背面pn结和侧面pn结，酸溶液为hf、h2o按体积比为2:3构成，碱溶液为h2o、naoh和抛光添加剂按体积比为300：18：5构成，酸洗时长为40±5s，碱洗时长为120s，酸溶液温度为40±10℃，碱溶液温度为60±15℃。

5.如权利要求1所述的一种夹层栅线太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤s4中，沉积温度为550±10℃，所述隧穿氧化层的沉积时长为400±50s，所述第一多晶硅层的沉积时长为5000±200s。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭祥泰，翁航，张东威，李亚，余宗保，何保杨，张佳超，王佳军，
申请(专利权)人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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