【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属刻蚀，具体涉及一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法。
技术介绍
1、rdl(re-distribution layer)技术，即再布线技术，是一种在集成电路封装中常用的工艺。它通常应用于片上系统(soc)、多芯片模块、芯片堆叠和其他高密度封装技术中，旨在重新分布输入输出(i/o)信号，并连接芯片内部功能块与封装引脚或其他芯片之间的联系。
2、在rdl技术中，针对金属线路的刻蚀通常存在两种方法，即干法刻蚀和湿法刻蚀，可以将非线路区域的种子层去除。多层线路会利用聚酰亚胺作为隔绝层，而对聚酰亚胺层上的种子层进行刻蚀，如果采用湿法刻蚀，容易出现因钻蚀导致线路尺寸失效甚至线路漂移丢失情况；而采用干法刻蚀，一方面，使用成本高，刻蚀使用的气体有毒，另一方面，干法刻蚀后容易出现聚酰亚胺漏电的情况。
3、cn 117747542a公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，所述再布线层的制备方法包括：在聚酰亚胺表面、第一预定图层及所述第二预定图层处分别沉积金属种子层；在所述聚酰亚胺层表面、所述...
【技术保护点】
1.一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述多层线路的结构包括线宽线距≥10μm的沟槽结构或直径≥30μm的柱状结构。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述种子层包括沿远离聚酰亚胺层方向依次层叠设置的钛层与铜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述预刻蚀处理包括依次进行的铜层预刻蚀与钛层预刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铜层预刻蚀所用刻蚀液包括硫酸-双氧水体系刻蚀液；
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述多层线路的结构包括线宽线距≥10μm的沟槽结构或直径≥30μm的柱状结构。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述种子层包括沿远离聚酰亚胺层方向依次层叠设置的钛层与铜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述预刻蚀处理包括依次进行的铜层预刻蚀与钛层预刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铜层预刻蚀所用刻蚀液包括硫酸-双氧水体系...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹树林，刘逢春，徐波，施元军，殷岚勇，
申请(专利权)人：苏州晶晟微纳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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