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本发明涉及一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法，所述方法包括如下步骤：(1)采用刻蚀液对多层线路聚酰亚胺层上的种子层进行预刻蚀处理，得到预刻蚀结构体；(2)步骤(1)所得预刻蚀结构体依次经过离子轰击处理与酸洗处理，得到去除种子层的多层线路聚酰...
该专利属于苏州晶晟微纳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶晟微纳半导体科技有限公司授权不得商用。

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