半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有沟槽栅构造。第2杂质区域(17)的从第1抵接区域(171)的边界部(171a、171b)朝向另一个沟槽的部分为直线状部(173a、173b)，第2抵接区域(172)的从边界部(172a、172b)朝向一个沟槽的部分为直线状部(174a、174b)。一个沟槽和与第1抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。另一个沟槽和与第2抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有沟槽栅构造的半导体装置。

技术介绍

1、以往，提出了具有沟槽栅构造的半导体装置(例如参照专利文献1)。具体而言，该半导体装置具有构成n－型的漂移层的半导体衬底，在漂移层上形成有基体(base)层。并且，在半导体衬底中，形成有将基体层贯通并且以半导体衬底的面方向上的一个方向为长度方向的多个沟槽。在各沟槽中，以将壁面覆盖的方式形成有栅极绝缘膜，并且在栅极绝缘膜上形成有栅极电极。

2、在基体层的表层部，以与沟槽相接的方式形成有n+型的源极区域及p+型的接触区域。即，源极区域及接触区域沿着沟槽的长度方向交替地形成。此外，源极区域及接触区域的平面形状为矩形。

3、在半导体衬底的一面侧，配置有与源极区域及接触区域连接的第1电极，在半导体衬底的另一面侧，配置有与漏极层连接的第2电极。

4、这样的半导体装置在栅极电极被施加规定的阈值电压以上的电压的情况下在基体层中的与沟槽相接的部分形成反型层。并且，半导体装置通过从第1电极经由源极区域及反型层向漏极层流过电流而成为导通状态。

5、现有技术文献

6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有沟槽栅构造，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具有沟槽栅构造，其特征在于，

2.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：登尾正人，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：