【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、在基片的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗、湿式蚀刻等液处理。在液处理中附着在基片的表面的液体等，例如能够利用使用超临界状态的处理流体的干燥方法除去(例如，参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013-012538号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够抑制基片的图案倒塌的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式的基片处理装置是能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：能够在内部收纳所述基片的处理容器；用于在所述处理容器内的保持位置以水平姿态保持所述基片的保持部；和用于向所述处理容器内供给所述处理流体的流体供给部，所述流体供给部能够在对所述处理容器内进行升压的中途，改变从被保持在所述保持部的所述基片...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其为能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8...
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其为能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅崎翔太，林田贵大，中岛干雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。