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一种低介低损耗的低温共烧陶瓷/玻璃复合材料制造技术

技术编号:42049745 阅读:21 留言:0更新日期:2024-07-16 23:30
本申请提供了一种低温共烧陶瓷/玻璃复合材料及其制备方法,通过将氧化铝(Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;)作为陶瓷相,CaO‑B<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;‑SiO<subgt;2</subgt;(CBS)作为玻璃相,并通过K<subgt;2</subgt;O、LiF、Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;的添加,使制备得到的低温共烧陶瓷/玻璃复合材料在用于制备微电子原件时,其烧制温度可以降低至800‑875℃,同时介电常数降低至6.0‑8.5,介电损耗降低至0.6×10<supgt;‑4</supgt;‑0.1×10<supgt;‑4</supgt;(1MHz)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷材料,特别涉及一种低介低损耗的低温共烧陶瓷/玻璃复合材料


技术介绍

1、近年来,随着通信技术的飞速发展,电子设备在小型化、便携式、多功能、数字化、高频化及高可靠性、高性能方面的需要,推动了电子元件向微型化、集成化和高频化的方向发展。在此背景下,高温共烧陶瓷技术(htcc)由于烧制温度稿(一般在1500℃左右),造成电阻率高、电损耗大且基板材料介电常数大而越来越不适应于微型化电子元件的发展。而低温共烧陶瓷技术(ltcc)由于具有低介电损耗、高工作频率(高达40ghz)、体积小、稳定性高等特点,且可以通过在电路内部嵌入电容器和电感器来形成三维结构,从而大大减小电路的尺寸而越来越被重视。

2、但现有ltcc的烧制温度一般在900-950℃左右,且依然存在一定程度的介电损耗,而对微电子原件来说,往往追求尽可能低的陶瓷烧制温度和介电损耗,以减少信号延迟时间,实现频率选择性,减少感应串扰和噪声的产生。

3、基于此,一种烧制温度和介电损耗更低的低温共烧陶瓷成为本领域急需。


技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种低温共烧陶瓷/玻璃复合材料,其特征在于,按质量份计,所述复合材料包含:

2.根据权利要求1所述低温共烧陶瓷/玻璃复合材料,其特征在于,所述CBS微晶玻璃组分包括CaCO3:35wt%-45wt%;

3.根据权利要求1或2所述低温共烧陶瓷/玻璃复合材料的制备方法,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述制备方法,其特征在于,所述制备CBS微晶玻璃粉为:

5.根据权利要求3或4所述制备方法制备得到的低温共烧陶瓷/玻璃复合材料。

6.根据权利要求1-2、5任一所述低温共烧陶瓷/玻璃复合材料在制备微电子原件中的应用,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种低温共烧陶瓷/玻璃复合材料,其特征在于,按质量份计,所述复合材料包含:

2.根据权利要求1所述低温共烧陶瓷/玻璃复合材料,其特征在于,所述cbs微晶玻璃组分包括caco3:35wt%-45wt%;

3.根据权利要求1或2所述低温共烧陶瓷/玻璃复合材料的制备方法,其特征在于,包括:

4....

【专利技术属性】
技术研发人员:章天金黄玉杰江娟王今朝甘霖刘东洋桑雨晴
申请(专利权)人:湖北大学
类型:发明
国别省市:

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