【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种功率器件、功率模块、功率转换电路以及车辆。
技术介绍
1、功率器件(power semiconductor device)是电力电子装置中用于实现电能转换和电路控制的核心组件。
2、由单个金属-氧化物场效应晶体管制备的功率器件,存在如下问题:单个金属-氧化物场效应晶体管的尺寸受限于晶胞大小,因此,现有的功率器件的单位面积的电流密度很难继续增加。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种功率器件、功率模块、功率转换电路以及车辆,以提高功率器件的单位面积的电流密度。
2、根据本专利技术的一方面,提供了一种功率器件,包括:
3、两个金属-氧化物场效应晶体管;其中,所述金属-氧化物场效应晶体管包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面,所述第一表面至少设置有间隔且绝缘排布的栅极连接电极和源极;两个金属-氧化物场效应晶体管包括第一金属-氧化物场效应晶体管和第二金属-氧化物场效应晶体管;所述第二金属-氧化物场效应晶体管用于支撑所述
...【技术保护点】
1.一种功率器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件包括埋层区,两个金属-氧化物场效应晶体管中的至少一个包括所述埋层区;
3.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件包括元胞区,所述元胞区位于所述埋层区的一侧;
4.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
7.根据权利要求4所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管中,所述埋
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件包括埋层区,两个金属-氧化物场效应晶体管中的至少一个包括所述埋层区;
3.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件包括元胞区,所述元胞区位于所述埋层区的一侧;
4.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,
7.根据权利要求4所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管中,所述埋层区包括所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和第三绝缘层;
8.根据权利要求5所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管和所述第二金属-氧化物场效应晶体管中,所述埋层区包括所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和第三绝缘层;
9.根据权利要求6所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管中,所述埋层区包括所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和第三绝缘层;
10.根据权利要求7-9任一所述的功率器件,其特征在于,包括所述第三绝缘层的金属-氧化物场效应晶体管中,所述外延层包括至少两层外延子层。
11.根据权利要求7-9任一所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管中,所述共栅极导电结构包括共栅极导电通孔和共栅极;
12.根据权利要求11所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管中,所述共栅极导电结构还包括共栅极连接电极,所述共栅极连接电极位于所述外延层远离所述第一绝缘层的一侧,覆盖部分或者全部所述共栅极导电通孔;
13.根据权利要求8所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属-氧化物场效应晶体管和所述第二金属-氧化物场效应晶体管中,所述共...
【专利技术属性】
技术研发人员:伍术,刘红超,
申请(专利权)人:安徽长飞先进半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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