本发明专利技术涉及一种ＴＦＴ－ＬＣＤ的数据线引线区的结构及其制作方法，该结构包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线，数据线引线上形成有过孔，过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与过孔共同形成连接孔，连接孔中形成有透明像素电极引线，透明像素电极引线通过连接孔将栅极层金属线和数据线引线连接起来。本发明专利技术还公开了一种数据线引线区结构的制作方法。本发明专利技术通过引入在数据线引线区形成的通过沉积在过孔中的透明像素电极引线与数据线引线相连接的栅极层金属线，与现有技术中的数据线引线区的结构相比能够很好的避免引线断开这种不良现象的出现。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种TFT-LCD的数据线(Data线)结构及其制作方法，尤其 是涉及一种TFT-LCD的数据线引线区(lead区)的结构及其制作方法。
技术介绍
传统TFT-LCD生产过程中的5次掩模(5Mask )工艺中的数据线引线区， 如图1和图2所示，其工艺过程如下(1 )在基板7上形成栅极层薄膜(gate 层)，然后被刻蚀掉'；(2 )形成栅绝缘层薄膜3 ( G-SiNx层)和有源层薄膜 (Active层)，然后有源层薄膜被刻蚀掉；(3 )形成源/漏极金属层薄膜(S/D 层)，并将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线2; (4)形 成钝化层薄膜1 (PVX层)；(5)形成像素电极层薄膜，然后被刻蚀掉。图 1和图2中的B区域为静电释放区，C区域为管脚区。4次掩模(4 Mask)工艺中的数据线引线区如图l和图2所示，其工艺过 程如下(1)在基板7上形成栅极层薄膜，然后被刻蚀掉；(2 )形成栅绝 缘层薄膜3、有源层薄膜和源/漏极金属层薄膜，并将数据线引线区的源/漏 极金属层薄膜刻蚀^数据线引线2，刻蚀掉数据线引线下方的有源层薄膜； (3)形成钝化层薄膜l; (4)形成像素电极层薄膜，然后被刻蚀掉。这两种工艺均形成上、下层为绝缘层，中间为导线的引线区结构。然而 在源/漏极金属层沉积(Deposition)过程前和过程中落在上面的微粒 (Particle)、后续工序中在引线区的静电击穿和异物压断数据线引线都会 导致数据线引线断线，即引线断开(Lead Open)现象，在产品中表现为一条 竖直的亮线，直接影响了产品的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种TFT-LCD数据线引线区的结构及其制作方法， 能够避免数据线引线区的静电放电(ESD)性导致的引线断开，沉积开的不良现象。为实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT-LCD数据线引线区的结构，包 括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，所述数据线引线下方的 基板上保留有栅极层金属线；所述数据线引线上形成有过孔；所述过孔下方 和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与所述过孔共同形 成连接孔；所述连接孔中形成有透明像素电极引线；所述透明像素电极引线 通过所述连接孔将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来。为实现上述目的'，本专利技术还提供一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制 作方法，包括步骤51，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻 蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；步骤52,在完血步骤51的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜和有源层薄 膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺刻蚀掉有源层薄膜；步骤53，在完成步骤52的基板上，形成源/漏极金属层薄膜，采用掩模 版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成 数据线引线，并在所迷数据线引线上形成过孔；步骤54,在完成步骤53的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化 层薄膜和栅绝缘层薄,膜刻蚀掉，形成连接孔；步骤55，在完成步骤54的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩 模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来的像素电极引线。本专利技术还提供了.一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，包括步骤81,在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻 蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；步骤82,在完成步骤81的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄 膜和源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线 引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线，在数据线引线上形成过孔， 然后将所述过孔处的有源层薄膜刻蚀掉；步骤83,在完成步骤82的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化 层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；步骤84，在完成步骤83的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩 模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据 线引线连接起来的森素电极引线。因此，本专利技术通过引入在所述数据线引线区形成的通过沉积在所述过 孔中的透明像素电极引线与数据线引线相连接的栅极层金属线，与现有技 术中的数据线引线区的结构相比能够很好的避免引线断开这种不良现象 的出现。附图说明图1为现有技术的TFT-LCD的数据线引线区结构图； 图2为图1中A - A向位置截面放大图3为本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例的数据线引线区 的结构图4为本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一的图3中D-D6向位置截面放大图5为本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一的图3中E-E 向位置剖面放大图6为本专利技术T.FT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二的图3中D-D 向位置截面放大图7为本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二的图3中E-E 向位置剖面放大图8为本专利技术T.FT-LCD的教:据线引线区结构的制作方法的实施例一的流 程图9为本专利技术TFT-LCD的凄t据线引线区结构的制作方法的实施例二的流 程图。附图标记说明l-钝化层薄膜； 2-数据线引线；3-栅绝缘层薄膜；4-栅极层金属线;5-透明像素电极引线；6-有源层薄膜；7-基板； 8-连接孔。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细介绍。本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一如图3所示，本实施例描述的结构部分位于阵列基板的外围引线区域， 通过图4所示的D-D'向位置的截面放大图和图5所示的E-E向位置剖面放大 图来进一步说明本专利技术的结构。如图4所示，本实施例描述的结构部分位于阵列基板的外围引线区域包 括基板7、栅绝缘层薄膜3、数据线引线2、钝化层薄膜l和透明像素电极引 线5，所述数据线引^2下方的基板7上保留有栅极层金属线4;所述数据线 引线2上方形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜3和钝化层薄膜1被去除，并与所述过孔共同形成连接孔8;所述连接孔8中形 成有透明像素电极引线5;所述透明像素电极引线5通过所述连接孔8将所 述栅极层金属线4和数据线引线2连接起来，所述栅极层金属线4位于数据 线引线2的下方，最优是正下方，这样可使得其能与数据线引线2通过连接 孔8方便的连接，所述数据线引线2上形成的过孔数量为一个或多个，形状 可变化为多样，如方形、圓形或截断式等。如图5所示，其为图3中E-E向位置的截面放大图，从E-E向看，该结 构包含了间隔排列的多个过孔，图中仅示出两个过孔，由于数据线引线2上 的过孔为一个或多个，且可为截断型过孔，因此上述本实施例中所述数据线 引线可呈分段式结构.。本专利技术TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二如图3和图6所示，本实施例与实施例一的不同之处在于保留了数据线 引线2下方、栅绝缘层薄膜3上方的有源层薄膜6，并将连接孔8位置对应 的有源层薄膜6去除。如图7所示，其为图3中E-E向位置的截面放大图，从E-E向看，该结 构包含了间隔排列的多个过孔，图中仅示出两个过孔，由于数据本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ的数据线引线区的结构，包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，其特征在于：所述数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线；所述数据线引线上形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与所述过孔共同形成连接孔；所述连接孔中形成有透明像素电极引线；所述透明像素电极引线通过所述连接孔将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来。
【技术特征摘要】
1、一种TFT-LCD的数据线引线区的结构，包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，其特征在于所述数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线；所述数据线引线上形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与所述过孔共同形成连接孔；所述连接孔中形成有透明像素电极引线；所述透明像素电极引线通过所述连接孔将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来。2、 根据权利要求1所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在于 还包括位于栅绝缘层薄膜上的有源层薄膜，所述连接孔对应位置的有源层薄 膜被去除。3、 根据权利要求1或2所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在 于所述栅极层金属线位于所述数据线引线的正下方。4、 根据权利要求1或2所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在 于所述过孔为圓形'、方形或截断式。5、 一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于，包括 步骤51,在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；步骤52，在完咸步骤51的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜和有源层薄 膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺刻蚀掉有源层薄膜；步骤53，在完成步骤52的基板上，形成源/漏极金属层薄膜，采用掩模 版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成 数据线引线，并在所'述数据线引线上形成过孔；步骤54，在完成步骤53的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化 层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；步骤55...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦纬，王威，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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