一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种有源矩阵有机发光显示器，尤其涉及一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显示器。本发明专利技术技术方案通过在有源矩阵有机发光显示器的阵列基板上设置具有共数据线像素单元的像素组，使整个阵列基板的数据线条数较传统结构减半，有效提高电路集成度，减少了数据芯片的使用成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有源矩阵有机发光显示器，尤其涉及一种具有共数据线结构的有 源矩阵有机发光显示器。
技术介绍
近年来，由于重量轻、体积小等优点，平板显示器尤其是液晶显示器(LCD)和有机 电致发光显示器(OLED)在移动手机、数码相机、笔记本电脑以及平板电视等显示终端中被 广泛地使用。由于具有优于LCD的亮度、视角性能、响应速度和显示效果，OLED被公认为下 一代平板显示器，特别是有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)的优点更为突出。AMOLED通过 在薄膜晶体管(TFT)阵列基板上形成OLED像素器件实现发光显示功能。目前，传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列如图IA所示，图IB为图IA像素 阵列之等效电路图，如图所示，基板上排布有多条扫描线(gate line) 101和多条数据线 (data line) 102，且二者相互垂直。像素单元100在基板上呈矩阵式排列，每个像素单元 包括一开关TFT103、一驱动TFT104、一存储电容105和一 OLED发光单元106，每个像素单 元又与一扫描线和一数据线电气连接，通过扫描线获得扫描信号，通过数据线获得显示数 据信号。数据线与数据芯片(source IC)电气连接，扫描线与扫描芯片(gate IC)电气连 接。传统布线结构是一根数据线控制一列像素，一根扫描线控制一行像素。而对显示器的 分辨率要求越高，需要的像素也越多，相应的数据芯片和扫描芯片的数量也越多。而实际生 产中，数据芯片的价格远远高于扫描芯片，因此，如何简化电路设计结构以降低生产成本是 AMOLED制造过程中有待解决的问题之一。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种具有共数据线结构的有源矩阵有机发光显不器。本专利技术的目的是通过如下技术方案予以实现的本专利技术提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板，在基板上呈矩阵排列 的多个像素组，平行配置于基板上的多条数据线，平行配置于基板上的多条扫描线，上述每 个像素组包括两个像素单元，这两个像素单元共用同一数据线，该数据线位于上述像素组 中的两像素单元之间。上述两像素单元分别与各自对应的一条扫描线电气连接，且同一像 素组对应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。上述每个像素单元包括一控制电路单元和一发光单元，且同一像素组中两像素单 元的控制电路单元位于该像素组的两相对角端。上述控制电路单元至少包括一开关薄膜晶 体管、一驱动薄膜晶体管、一存储电容。所述发光单元为一有机电致发光单元。本专利技术技术方案可使有源矩阵有机发光显示器阵列基板的数据线条数较传统结 构减半，有效提高电路集成度，减少数据芯片的使用成本，尤其适用于移动通讯设备和大尺寸视频播放设备等产品上。附图说明图IA为传统有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图IB为图IA有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图2A为本专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图2B为图2A所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图图2C为图2A所示像素阵列中一像素组的结构示意图3A为制备像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图3B为图3A中A-A’截面的剖面图3C为形成栅极和层间绝缘层的示意图3D为图3C中A-A’截面的剖面图3E为形成接触孔图案的示意图3F为图3E中A-A，截面的剖面图3G为形成源极、漏极、数据线和钝化层的示意图3H为图3G中A-A’截面的剖面图31为形成像素电极图案的示意图3J为图31中B-B’截面的剖面图。具体实施例方式为让本专利技术的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说 明如下。实施例图2A为本专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列结构示意图，如图所示，本 专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素阵列由若干像素组200呈矩阵形式排列而成。图2B 为图2A所示有源矩阵有机发光显示器像素阵列的等效电路图，图2C为图2A所示像素阵列 中一像素组的结构示意图，如图所示，每个像素组包括两个像素单元201，每个像素单元包 括一控制电路单元和一有机电致发光单元205，其中控制电路单元包括一开关TFT202、一 驱动TFT203、一存储电容204，每个像素单元又分别与一扫描线206电气连接，通过扫描线 获得扫描信号；同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线207电气连接，通过数据线 获得显示数据信号。图3A 3J为图2C所示像素组的制作工艺步骤示意图。图3A为形成像素组的多晶硅层和栅绝缘层的示意图，图3B为图3A中A_A’截面 的剖面图。如图所示，首先在阵列基板301 (玻璃等)上依次沉积一缓冲层302，通常为氮 化硅、氧化硅等材料，接着继续沉积一半导体层，一般为非晶硅层(a-Si)。对非晶硅层采用 准分子激光退火(ELA)、固相晶化(SPC)或金属诱导结晶(MIC)等方法，将其转化成多晶硅 层(P-Si)303。然后采用光刻的方法，在多晶硅层上形成硅岛304。接着，采用化学气相沉 积(CVD)的方法，在硅岛和未被覆盖的缓冲层上沉积栅绝缘层305。图3C为形成栅极和层间绝缘层的示意图，图3D为图3C中A_A’截面的剖面图。如图所示，在栅绝缘层上溅射第一金属层(图中未示出)，采用光刻的方法分别形成开关TFT 的栅极306、扫描线307、电容第一电极308和驱动TFT的栅极309，接着采用CVD的方法形 成层间绝缘层310。如图3E所示，在开关TFT栅极两侧、电容第一电极的两侧和驱动TFT栅极两侧，采 用光刻的方法在删绝缘层和层间绝缘层上形成接触孔311，图3F为图3E中A-A’截面的剖 面图。图3G为形成源极、漏极、数据线和钝化层的示意图，图3H为图3G中A_A’截面的 剖面图。如图所示，在层间绝缘层上沉积第二金属层312，并采用光刻的方法形成图形。其 中，开关TFT的源极313通过接触孔314与多晶硅层电气连接，开关TFT的源极313同时还 与数据线315电气连接；开关TFT的漏极316通过接触孔317与多晶硅层电气连接，并通过 接触孔318与驱动TFT的栅极及存储电容的第一电极电气连接。多晶硅层319通过接触孔 320与电压驱动线321电气连接，形成储存电容的第二电极。接着，采用CVD的方法沉积钝 化绝缘层322。图31为形成像素电极图案的示意图，图3J为图31中B_B’截面的剖面图，如图所 示，采用光刻的方法，在驱动TFT的漏极处形成接触孔323。接着采用溅射的方法，形成一氧 化铟锡(ITO)或氧化铟锌等透明电极层，并采用光刻的方法，形成OLED发光单元的透明阳 极层324，透明阳极层通过接触孔323与驱动TFT的漏极电气连接。通过以上的工艺步骤，就可以完成所述像素组的制备。通过将若干像素组呈矩阵 排列，即可完成有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造。本专利技术所述有源矩阵有机发光显示器的阵列基板由如图2A所示的若干像素组 呈矩阵排列而成，每个像素组包括两个像素单元，每个像素单元包括一控制电路单元和一 OLED发光单元，其中控制电路单元包括一开关TFT、一驱动TFT、一存储电容。同一像素组中 两像素单元的控制电路单元位于像素组的两相对角端。每个像素单元又分别与一扫描线电 气连接，通过扫描线获得扫描信号；同一像素组中的两个像素单元共同与一数据线电气连 接，通过数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光显示器，包括：一基板；多个像素组，在基板上呈矩阵排列；多条数据线，平行配置于基板上；多条扫描线，平行配置于基板上；其特征在于，所述每个像素组包括两个像素单元，所述两像素单元共用同一数据线。

【技术特征摘要】
一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；多个像素组，在基板上呈矩阵排列；多条数据线，平行配置于基板上；多条扫描线，平行配置于基板上；其特征在于，所述每个像素组包括两个像素单元，所述两像素单元共用同一数据线。2.根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，所述数据线位 于所述像素组中的两像素单元之间。3.根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，所述两像素单 元分别与各自对应的一条扫描线电气连接。4.根据权利要求3所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，同一像素组对 应的两条扫描线分别位于该像素组的相对两侧且与数据线垂直。5.根据权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷婷，邱勇，高孝裕，刘周英，朱晖，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]