【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体外延片，尤其涉及一种半导体外延片缺陷定位方法。
技术介绍
1、外延工艺(epitaxy)就是在单晶衬底上沉积一层新的单晶层，由于新单晶按照衬底晶向延伸生长，这层新沉积的单晶薄膜被称作外延层。生长了不同组份、厚度的多层膜的衬底就成为了外延片。在外延层生长过程中，经常会出现各种各样的外延缺陷，其实质是实际晶体中与周期性重复排列的理想晶体点阵结构发生偏差。外延层中的缺陷种类可分为体内缺陷和表面缺陷。常见的体内缺陷有堆垛层错和位错，是衬底外延延伸或外延工艺引入。常见的表面缺陷有凸起尖峰、麻点、雾状缺陷等。外延片经过多道光刻、刻蚀和电极制作后解理成bar条或单管芯，紧接着进行后续的封装测试，最终完成单管芯或者巴条产品制备。
2、外延的质量相当于房屋的地基，对高功率激光器芯片的性能和可靠性具有重要影响。因此在制程过程中准确的识别出不同尺寸、形貌的缺陷至关重要。中国cn115223880公开了一种缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统。现有化合物半导体材料表面缺陷检测设备极限精度可达80nm，但由于外延片表面上没有巴条和芯片图形及其chipid，因此当前的测试尽管能够有效监测出缺陷，但无法准确定位这些缺陷所在的chipid，进而无法计算外延缺陷影响的芯片良率，导致无法指导后续生产工艺提前判定晶圆片表面通过与否的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出了一种半导体外延片缺陷定位方法们，用于解决当前的测试设备尽管能够有效监测出缺陷，但无法准确定位这些缺陷所在的ch
2、本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术提供了一种半导体外延片缺陷定位方法，包括以下步骤，s1，在外延片表面的边缘位置布设若干定位标记，根据定位标记在外延片表面上设置坐标轴，并获知各定位标记的特征信息；s2，进行外延片扫描并检测出外延片上的各缺陷，通过坐标轴及定位标记确定各缺陷的特征信息；s3，以外延片上的定位标记及坐标轴作为基准，绘制出晶圆片仿真图并在晶圆片仿真图上绘制出各缺陷，在晶圆片仿真图上投射巴条及芯片设计图，输出受到缺陷影响的芯片的数量及特征信息。
3、在以上技术方案的基础上，优选的，步骤s1包括以下步骤，s11，在外延片表面上设置坐标轴，在坐标轴相邻的两个象限内分别设置一组定位标记并记为第一标记，在坐标轴的另外两个象限内分别设置一组定位标记并记为第二标记，第一标记与第二标记的形状不同，各组定位标记在所处象限内围绕坐标轴基点等距布设，且属于同组的各定位标记的尺寸沿顺时针或者逆时针方向逐个增加；s12，根据定位标记在外延片表面上确定坐标轴的基点，并获知各第一标记及第二标记的特征信息；s13，将第一标记及第二标记通过光刻转移到外延片表面的边缘位置。
4、更进一步优选的，步骤s12中，各组定位标记包括八个第一标记或者八个第二标记，全部定位标记合计三十二个；设坐标轴的四个方向分别为0°、90°、180°及270°，三十二个定位标记沿顺时针方向分别设置在10°至80°、100°至170°、190°至260°以及280°至350°的位置，同组的各定位标记依次间隔10°布设。
5、更进一步优选的，第一标记的形状为圆形或者矩形，第二标记的形状为矩形或者圆形。
6、更进一步优选的，同组的八个第一标记或者第二标记的边长或者内径沿顺时针方向分别为2μm、5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm及40μm。
7、更进一步优选的，步骤s1还包括以下步骤，s14，外延片的边缘设置有至少一个平边，在外延片表面上贴近其中一个平边的边缘位置设置定位标记并记为对位标记，并在平边的相对侧对称设置另一个对位标记。
8、更进一步优选的，平边设置在坐标轴的90°方向，两个对位标记分别设置在95°及265°的位置。
9、更进一步优选的，对位标记的尺寸大于第一标记或者第二标记。
10、在以上技术方案的基础上，优选的，步骤s3包括以下步骤，s31，以外延片上的定位标记及坐标轴作为基准绘制出晶圆片仿真图，根据各缺陷的特征信息在晶圆片仿真图上绘制出各缺陷；s32，根据某一产品的规格设计出巴条及芯片设计图，将巴条及芯片设计图投射到晶圆片仿真图上，获知巴条及芯片设计布局位于晶圆片仿真图上时缺陷的分布情况；s33各巴条包括若干单管芯，检索并记录晶圆片仿真图上受到缺陷影响的单管芯在坐标轴上的特征信息，统计受到影响的单管芯的数量，输出芯片良率报表及缺陷分布可视化的晶圆片仿真图。
11、更进一步优选的，在步骤s33中，如果单管芯的关键区域上落入有缺陷则判定单管芯为非良品。
12、本专利技术的一种半导体外延片缺陷定位方法相对于现有技术具有以下有益效果：
13、(1)本专利技术在外延片边缘设置特定形状、尺寸及位置的定位标记，避开设备自身和人为操作带来的坐标误差，将对缺陷的定位转化为检索定位标记与缺陷的相对坐标位置关系，从而将无规则形状缺陷定位到chip版图上，通过定位标记能够有效排除机台位置偏差导致的缺陷位置偏差，简化缺陷坐标的矫正过程。
14、(2)本专利技术根据坐标象限对定位标记进行分类，并限定不同定位标记的尺寸、形状及各定位标记的角度间距，使定位标记易于缺陷扫描仪识别和判定，同时避免与外延生长工艺导致的缺陷混淆，并避免了某一个或者某几个定位标记制作异常而导致缺陷扫描仪无法识别的情况。
15、(3)本专利技术在外延片的平边及其对侧对称设置两个对位标记，使外延片通过平边确定其在机台上的位置后，能够再通过对位标记对其上的坐标轴及定位标记进行快速的定位。
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1.一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤S1包括以下步骤，
3.根据权利要求2所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤S12中，各组定位标记(100)包括八个第一标记(101)或者八个第二标记(102)，全部定位标记(100)合计三十二个；
4.根据权利要求3所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：第一标记(101)的形状为圆形或者矩形，第二标记(102)的形状为矩形或者圆形。
5.根据权利要求4所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：同组的八个第一标记(101)或者第二标记(102)的边长或者内径沿顺时针方向分别为2μm、5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm及40μm。
6.根据权利要求3所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤S1还包括以下步骤，
7.根据权利要求6所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：平边(11)设置在坐标轴的90°方向，两个对
8.根据权利要求6所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：对位标记(103)的尺寸大于第一标记(101)或者第二标记(102)。
9.根据权利要求1所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤S3包括以下步骤，
10.根据权利要求9所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：在步骤S33中，如果单管芯的关键区域上落入有缺陷则判定单管芯为非良品。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤s1包括以下步骤，
3.根据权利要求2所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：步骤s12中，各组定位标记(100)包括八个第一标记(101)或者八个第二标记(102)，全部定位标记(100)合计三十二个；
4.根据权利要求3所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：第一标记(101)的形状为圆形或者矩形，第二标记(102)的形状为矩形或者圆形。
5.根据权利要求4所述的一种半导体外延片缺陷定位方法，其特征在于：同组的八个第一标记(101)或者第二标记(102)的边长或者内径沿顺时针方向分别为2μm、5μm、10μm、15μm...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡维，王虎，安海岩，邱旋，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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