一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法技术

本发明专利技术提出了一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法，属于化学沉积领域，顶板间隔设置在顶盖正下方；调节部环绕顶板表面中心均布在顶板与顶盖之间，各调节部沿顶盖表面的垂直方向施加作用力，并调整调节部所在位置的顶板与顶盖的间距；检测部设置在顶板边缘上并实时检测其所在位置的顶板与顶盖的间距；控制部根据检测部的检测数据控制调节部施加作用力的大小。本发明专利技术通过检测部确定顶板是否处于水平，根据收集的检测数据控制调节部调整顶板水平情况，通过分布在顶板边缘各个方位的调节部对顶板施加向上或向下的作用力，以抵消顶板边缘形变而造成的顶板水平失衡，解决顶板在沉积过程中因其表面不水平所产生的负面影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学沉积，尤其涉及一种mocvd反应室及其ceiling水平调节方法。

技术介绍

1、mocvd（metal-organic chemical vapor deposition，金属有机化学气相沉积）反应室，是实现高质量薄膜沉积的重要设备。反应室是mocvd系统的核心部分，通常由不锈钢或其他高耐腐蚀材料制成，以耐受高温和腐蚀性气体。反应室的设计要确保气体流动的均匀性和沉积的均匀性。现有mocvd反应室ceiling，又称为“反应室顶板”，一般为环状圆盘设计，固定在反应室上部，固定点位为ceiling中心区域。ceiling下表面的中心位置会设置进气部件，工作时进气部件呈抛物线形式将反应气体以及mo源沿四周抛出，在ceiling下方形成一个均匀接收反应物区域，在该区域内放置衬底基板进行外延生长。正常情况下可以形成一个较稳定的外延生长环境。

2、但在目前的反应室设计中，顶板上会存在如下问题：1）受ceiling自身重力影响，ceiling的边缘下垂偏移量较中心更多；2）在多炉外延生长后，ceiling表面沉积物增多，受沉积物拉应力影响本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOCVD反应室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：Δh的绝对值＜5mm；设Δh绝对值中每0.5mm为一个取值范围，Δh绝对值包括n个取值范围，每个Δh绝对值的取值范围对应的形变距离系数为，

4.根据权利要求3所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：当Δh的绝对值＞5mm时，系统报警并更换所述顶板（2）。

5.根据权利要求3所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：当h0＞h1时，K取负值；当h0＜h1时，K取正值。

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【技术特征摘要】

1.一种mocvd反应室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种mocvd反应室，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的一种mocvd反应室，其特征在于：δh的绝对值＜5mm；设δh绝对值中每0.5mm为一个取值范围，δh绝对值包括n个取值范围，每个δh绝对值的取值范围对应的形变距离系数为，

4.根据权利要求3所述的一种mocvd反应室，其特征在于：当δh的绝对值＞5mm时，系统报警并更换所述顶板（2）。

5.根据权利要求3所述的一种mocvd反应室，其特征在于：当h0＞h1时...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱旋，胡维，陈恳，孙同享，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：