【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及晶体生长设备及晶体生长方法。
技术介绍
1、碳化硅（sic）作为第三代半导体材料，因其禁带宽度大、电子饱和速率高、热导率高等特性，在汽车、通信等多个领域展现出广泛的应用潜力。
2、物理气相传输法（physical vapor transport，pvt）是一种用于生长例如sic晶体的高熔点半导体晶体材料的技术，主要包括升温、长晶、退火和冷却四个步骤。以sic晶体为例，在pvt法中，用于生长sic晶体的原料（即，sic粉料）被置于石墨坩埚中，并通过加热而升华成气态组分，这些气态组分随后会在固定于石墨坩埚的顶端的温度较低的sic籽晶的表面凝结，并生长形成sic晶体。所长成的sic晶体会再经历退火，并在被冷却至常温后从长晶炉中取出，以在随后通过切割、减薄、抛光、清洗等工艺制成衬底。
3、在这些工艺中，退火工艺尤为重要，其不仅能够消除晶体在生长过程中产生的热应力，还能够降低晶体在冷却过程中产生的形变应力，从而能够降低晶体开裂风险、增加衬底加工良率并提高衬底的品质。
4、目前，...
【技术保护点】
1.一种晶体生长设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，还包括隔离装置，所述隔离装置能够在第一状态与第二状态之间转换，并且在长晶阶段处于所述第一状态，而在所述长晶阶段结束之后处于所述第二状态，其中，当所述隔离装置处于所述第一状态时，所述退火腔室与所述生长腔室隔离，而当所述隔离装置处于所述第二状态时，所述退火腔室与所述生长腔室连通。
3.根据权利要求2所述的晶体生长设备，其特征在于，所述隔离装置为设置在所述退火腔室与所述生长腔室之间的插板阀。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶体生长设备，其特...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，还包括隔离装置，所述隔离装置能够在第一状态与第二状态之间转换，并且在长晶阶段处于所述第一状态，而在所述长晶阶段结束之后处于所述第二状态，其中，当所述隔离装置处于所述第一状态时，所述退火腔室与所述生长腔室隔离，而当所述隔离装置处于所述第二状态时，所述退火腔室与所述生长腔室连通。
3.根据权利要求2所述的晶体生长设备，其特征在于，所述隔离装置为设置在所述退火腔室与所述生长腔室之间的插板阀。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶体生长设备，其特征在于，所述退火腔室位于所述生长腔室的上方。
5.根据权利要求4所述的晶体生长设备，其特征在于，所述第一热场结构包括第一侧部保温毡、第一顶部保温毡和第一加热装置，所述第一侧部保温毡设置在所述退火腔室的周向壁处，所述第一顶部保温毡设置在所述退火腔室的顶壁处，并且所述第一加热装置设置在所述第一侧部保温毡的径向内侧。
6.根据权利要求5所述的晶体生长设备，其特征在于，所述退火腔室包括支承台，所述支承台固定至所述退火腔室的所述周向壁，以用于在其上支承所述第一侧部保温毡。
7.根据权利要求5所述的晶体生长设备，其特征在于，所述第一热场结构还包括第二顶部保温毡，所述第二顶部保温毡设置在所述坩埚的顶部处，并且所述第二顶部保温毡的形状与所述第一顶部保温毡的形状匹配。
8.根据权利要求4所述的晶体生长设备，其特征在于，所述第二热场结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：余剑云，
申请(专利权)人：重庆奕欣科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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