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本公开涉及晶体生长设备及晶体生长方法。在一方面中，提供了一种晶体生长设备，其包括：坩埚，用于在其中容置原料和籽晶；退火腔室，在其内设置有用于提供第一热场的第一热场结构；生长腔室，在其内设置有用于提供第二热场的第二热场结构，第一热场的径向温度...
该专利属于重庆奕欣科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆奕欣科技有限公司授权不得商用。

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