【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆黑化，特别涉及一种低透光率的钽酸锂晶片及其制备方法。
技术介绍
1、晶圆黑化技术是一种用于降低晶圆透光率的重要工艺，尤其在铌酸锂和钽酸锂等多功能晶体材料中应用广泛。这些材料因其优良的压电、铁电、热释电等特性，被广泛应用于声表面波器件、光通讯和光电子等领域。然而，这些晶圆在未经过处理时，具有较高的光学透过性，这会导致在光刻过程中，光透过衬底后在背面产生强反射，从而降低光刻图案的分辨率和精度。为了解决这一问题，晶圆黑化技术通过改变晶圆的光学特性，使其颜色从无色透明变为茶色或黑色，显著降低透光率。这种处理不仅提高了光刻工艺的精度，还减少了光刻过程中可能出现的误差。
2、目前制备钽酸锂黑片的主要技术路线为将钽酸锂晶片包埋在还原性粉末(如碳粉、铁粉)中，通入惰性或者还原性气体进行保护，升温制备黑片。传统的还原性粉末进行晶片黑化存在晶片“黑化”程度不均匀，操作繁琐、黑化时间长、效率较低等问题。
3、为此，开发出新的钽酸锂晶片黑化工艺是必要的。
技术实现思路
1...
【技术保护点】
1.一种低透光率的钽酸锂晶片的制备方法，其特征在于，其步骤包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中硅铝凝胶、镍基催化剂、碳源的质量比为2.5-3:1:6-7。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镍基催化剂选用镍铁双金属催化剂、活性炭负载镍催化剂、类水滑石衍生镍基催化剂中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源选自石墨粉、焦炭粉、活性碳粉中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中球磨速率250-300rpm，时间2-3h。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种低透光率的钽酸锂晶片的制备方法，其特征在于，其步骤包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中硅铝凝胶、镍基催化剂、碳源的质量比为2.5-3:1:6-7。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镍基催化剂选用镍铁双金属催化剂、活性炭负载镍催化剂、类水滑石衍生镍基催化剂中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源选自石墨粉、焦炭粉、活性碳粉中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中球磨速率25...
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