温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法，属于化学沉积领域，顶板间隔设置在顶盖正下方；调节部环绕顶板表面中心均布在顶板与顶盖之间，各调节部沿顶盖表面的垂直方向施加作用力，并调整调节部所在位置的顶板与顶盖的间距；检测部设...
该专利属于武汉锐晶激光芯片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉锐晶激光芯片技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。