用于制造密封容器的方法技术

技术编号:4202172 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于制造密封容器的方法,包括提供具有第一基板和框架构件的组件,所述第一基板具有在其第一表面上形成的电子发射元件,所述框架构件被安装在第一表面上,位于形成电子发射元件的区域之外;通过经由连接构件使第二基板与框架构件相接触形成内部空间,形成具有所述组件和第二基板的临时组件;通过使用透过第二基板传输的激光束照射所述连接构件使连接构件熔化;并使熔化的连接构件固化。施加激光束,使得当激光束相对于临时组件移动时,在连接构件上的照射位置处的激光束的入射方向不包含朝向框架构件内部的分量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够抑制杂散激光束对电子发射部分的影响的密封容器制造方法。 根据按照本专利技术的一个方面的,制造包括第一基板、面向第一基板的透光的第二基板、以及介于第一基板和第二基板之间的框架构件的密封容器,在第一基板的第一表面上具有电子发射元件,所述第一基板、第二基板和框架构件形成内部空间,所述电子发射元件位于该内部空间内。该方法包括提供具有第一基板和框架构件的组件,所述框架构件被安装在第一基板的第一表面上,位于形成电子发射元件的区域之外;通过经由连接构件使第二基板与框架构件相接触,形成具有上述组件和第二基板的临时组件;通过使用透过临时组件中的第二基板传输的激光束照射连接构件,使连接构件熔化;并使熔化的连接构件固化。将激光束施加到连接构件上,使得在使连接构件熔化期间,当激光束相对于临时组件移动时,在连接构件上的照射位置处的激光束的入射方向不包含朝向框架构件内部的分量。 参考所附的附图,本专利技术的其它特征将由以下示例性的实施例变得更为清楚。 附图说明 图1A和1B是示出根据本专利技术的第一示例性实施例的的 概念视图。 图2是示出根据本专利技术的第一示例性实施例的的流程图。 图3是示出可应用于本专利技术的密封容器的示例电子发射元件的横截面视图。 图4A和4B是示出可应用于本专利技术的密封容器的示例电子发射元件的横截面视 图。 图5是示出要由本专利技术解决的第一个问题的横截面视图。 图6A和6B是示出要由本专利技术解决的第二个问题的横截面视图。 图7A和7B是示出根据本专利技术的第二示例性实施例的的概念视图。 图8是示出根据本专利技术的第二示例性实施例的的流程 图。 图9A和9B是示出根据本专利技术的第三示例性实施例的的 概念视图。 图10是示出根据本专利技术的第三示例性实施例的的流程 图。 图11是示出要由本专利技术解决的第一个问题的横截面视图。 具体实施例方式根据本专利技术的,制造包括第一基板、面向第一基板的第 二基板、以及介入第一基板和第二基板之间的框架构件的密封容器,第一基板的第一表面 上具有电子发射元件。第一基板、第二基板和框架构件形成电子发射元件位于其中的内部 空间。用于制造本专利技术的密封容器的方法还可以应用于真空荧光显示器(VFD)。然而,本发 明的各个方面也可以被应用于制造包括用作电子发射元件的冷阴极电子源和用作图像形成构件的能够阴极发光的荧光体的所谓场发射显示器(FED)。首先,由于根据本专利技术的各个 方面,连接构件不能一次就被完全软化和熔化,可以简单地制造密封容器,而除了连接构件 之外的结构仍处在常温常压的环境中。这导致在第一基板(电子源基板)和第二基板(荧 光体基板)之间保持了对准的精确度。此外,由于仅仅连接构件的局部加热对于面板内的 电子发射元件几乎不会产生什么影响,抑制了电子发射元件的氧化以及粘附于电子发射元 件的顶部表面的元件的汽化和分解,并且可以抑制电子发射元件的热处理老化。现在将参 考图1A到11详细地描述本专利技术的示例性实施例。 在以下的示例性实施例中,将相对于框架构件和基板(第一基板和第二基板)的 连接使用术语第一连接构件和第二连接构件。这里,第一连接构件是指用于将具有第 一 (或第二)基板和框架构件的组件连接到第二 (或第一)基板上的连接构件。第二连接 构件是指用于将包括在组件内的基板连接到框架构件上的连接构件。换句话说,密封容器 通过将所述组件连接到第二 (或第一)基板而形成,并且第一连接构件被用于将所述组件 连接到第二 (或第一)基板。用作密封容器的一部分的所述组件通过将第一 (或第二)基 板连接到框架构件上而形成,并且第二连接构件被用于将第一 (或第二)基板连接到框架 构件上。 现在将参考图1A到6B描述本专利技术的第一示例性实施例。 图1A和IB分别是横截面视图和顶视图,示出了根据本专利技术的第一示例性实施例 的的方案。图2是示出根据本专利技术的第一示例性实施例的用于制 造密封容器的方法的流程图。 在第一个步骤中,提供由第一基板103和框架构件104构成的组件116,所述第一 基板在其第一表面114上形成了电子发射元件105。框架构件104被安装在第一基板103的 第一表面114上,位于形成电子发射元件105的区域之外。第一基板103和框架构件104的 材料可以通过考虑与真空密封容器的最终真空度有关的热阻和低除气特性,并且通过考虑 与密封容器的结构稳定性有关的第一基板103和第二基板102之间以及框架构件104和第 二基板102之间线性膨胀系数匹配来选择。第一基板103和框架构件104可以由诸如玻璃 或玻璃陶瓷的无机透明材料组成,并且考虑到热阻,它们甚至可以由诸如可从Asahi Glass Company Ltd.获得的PD200这样的高应变点玻璃组成。考虑到第一基板103和第二基板 102之间以及框架构件104和第二基板102之间的线性膨胀系数匹配,第一基板103和框架 构件104可以由与第二基板102相同的材料组成。 在第一基板103上形成电子发射元件105。电子发射元件105被连接到在第一基 板103上的线路结构(未示出),使得电子发射量可以根据来自外部电路的电信号进行控 制。当所要制造的显示器利用荧光体的阴极发光时,该显示器是脉冲驱动的。因此,可以将 具有简单结构的阵列布线连接到电子发射元件105。尽管电子发射元件105既可以是热阴 极类型的也可以是冷阴极类型的,但考虑到对能耗的抑制和色彩再现性,可以提供冷阴极 电子源。可应用本专利技术的制造方法的冷阴极电子源的例子包括那些在图3中所示的Spindt 类型,图4A中所示的金属-绝缘体-金属(MIM)类型、表面传导发射器(SCE)类型、以及图 4B中所示的碳纳米管类型。由于在下面描述的这个示例性实施例中,密封容器的内部、尤其 是电子发射元件受到保护以免受到激光热效应的影响,能够抑制对于电子发射特性来说很 重要的电子发射元件表面的热损伤。因此,可以通过应用冷阴极电子源来提供具有一致特性并且具有较小处理老化的电子束显示器。 在第二个步骤中,提供由玻璃或玻璃陶瓷组成的第二基板102。在第二基板102上 形成荧光体106。在这个示例性实施例中,第二基板102可以由透光的材料组成,以便利用 从在密封容器的内表面上形成的荧光体106发出的光,并以从激光源101发出并透过第二 基板102传输的激光束111照射第一连接构件107。使用一个电极来限定荧光体106的电 势,使得通过从电子发射元件105发射的电子的碰撞产生阴极发光。P22荧光体可以被用作 荧光体106,当把大于或等于几千伏的正电势施加到电子发射元件105上时,P22荧光体能 够发出具有高色纯度的光。 在第三个步骤中,通过经由第一连接构件107使第二基板102与框架构件104相 接触,形成由组件116和第二基板102构成的临时组件118。组件116和第二基板102形 成临时组件118,在临时组件118的内部形成内部空间120。可以使用箝位夹具(未示出) 使第一基板103、框架构件104、第一连接构件107和第二基板102彼此接触。第一连接构 件107可以由诸如金属的具有高反射率的材料构成。当第一连接构件107由金属构成时, 可以实现精细和一致的密封连接,从而得到具有高质量电子发射元件的真空密封容器。由 于在下面描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造密封容器的方法,所述密封容器包括第一基板、面向第一基板的透光的第二基板、以及介入第一基板和第二基板之间的框架构件,在第一基板的第一表面上具有电子发射元件,所述第一基板、第二基板和框架构件形成内部空间,所述电子发射元件位于该内部空间内,所述方法包括:提供包括所述第一基板和所述框架构件的组件,所述框架构件安装在第一基板的第一表面上,位于形成电子发射元件的区域之外;通过经由第一连接构件将所述第二基板与所述框架构件相接触,形成包括所述组件和所述第二基板的临时组件;通过使用透过所述临时组件中的第二基板传输的激光束来照射所述第一连接构件,使第一连接构件熔化;并使熔化的第一连接构件固化,其中将激光束施加到所述第一连接构件上,使得在使所述第一连接构件熔化期间,当激光束相对于所述临时组件移动时,在所述第一连接构件上的照射位置处的激光束的入射方向不包含朝向框架构件内部的分量。

【技术特征摘要】
JP 2008-11-4 2008-283125一种用于制造密封容器的方法,所述密封容器包括第一基板、面向第一基板的透光的第二基板、以及介入第一基板和第二基板之间的框架构件,在第一基板的第一表面上具有电子发射元件,所述第一基板、第二基板和框架构件形成内部空间,所述电子发射元件位于该内部空间内,所述方法包括提供包括所述第一基板和所述框架构件的组件,所述框架构件安装在第一基板的第一表面上,位于形成电子发射元件的区域之外;通过经由第一连接构件将所述第二基板与所述框架构件相接触,形成包括所述组件和所述第二基板的临时组件;通过使用透过所述临时组件中的第二基板传输的激光束来照射所述第一连接构件,使第一连接构件熔化;并使熔化的第一连接构件固化,其中将激光束施加到所述第一连接构件上,使得在使所述第一连接构件熔化期间,当激光束相对于所述临时组件移动时,在所述第一连接构件上的照射位置处的激光束的入射方向不包含朝向框架构件内部的分量。2. 如权利要求1所述的方法,其中在使所述第一连接构件熔化期间,激光束倾斜于所 述第二基板的法线被施加到所述第一连接构件上。3. 如权利要求l所述的方法,其中 所述框架构件能够透光, 提供所述组件包括通过经由第二连接构件使所述第一基板与所述框架构件相接触并使用透光的推板推 动所述框架构件,将框架构件暂时固定到所述第一基板上;通过使用透过所述推板和所述框架构件传输的激光束照射所述第二连接构件,使所述 第二连接构件熔化;使所述熔化的第二连接构件固化;并去除所述推板;将激光束施加到所述第二连接构件上,使得在使所述第二连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊藤靖浩大桥康雄仓知孝介多川昌宏
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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