一种低热阻板级半桥功率模块封装结构及制备方法技术

本发明专利技术属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻板级半桥功率模块封装结构及制备方法。封装结构包括顶部散热器、上基板、正装芯片区和反装芯片区；上基板设置于顶部散热器下，正装芯片区和反装芯片区并列设置于上基板下；反装芯片区从上而下依次为RDL重新布线层、SiC MOSFET芯片、下基板和焊盘；正装芯片区从上而下依次为焊料层、SiC MOSFET芯片、RDL重新布线层、下基板和焊盘；两焊盘电极相反，分别作为封装器件的直流正负电极；本发明专利技术中的两芯片朝向相反，结合了面朝上和下两种形式，减小了RDL层的布线距离，解耦了两颗芯片的散热路径；该封装结构杂感和应力大小没有显著差异，热阻降低50％以上，表现出了良好的热特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片封装，具体涉及一种低热阻板级半桥功率模块封装结构及制备方法。

技术介绍

1、扇出型板级封装(foplp)是将晶圆基板替换为面板基板，并采用扇出型封装的方式进行封装，从而实现更高效、更精确的产品。foplp所使用的工艺生产方法具有更高的利用率、更低成本的潜力。

2、文献1(braun et al.)指出对于扇出晶圆级封装，会遇到两种基本工艺流程，即“模具优先”或“重新布线层(rdl)优先”方法。对于“模具优先”工艺，同时存在面朝下和面朝上两种方法。这两种方法都已在大规模生产中。“模具优先”面朝下方法从中间载体上的模具组装开始，然后将模制晶片/面板从载体上二次成型和脱胶。基于薄膜技术，再分布层最终被施加在重新配置的模制晶片/面板上。面朝上的方法从具有临时粘合层的载体模具开始。但这里的裸片有一个cu凸块，并且面朝上放置在载体上。在二次成型后，再次打开模具的cu凸块。施加重新分布层，最后将晶片从载体上释放并切割用于封装单体化。对于“rdl优先”方法，首先在中间载体上搭建rdl层，并通过在rdl上进行芯片到晶片的接合。然后，进行底部填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低热阻板级半桥功率模块封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，采用环氧树脂塑封料填充整个封装空隙，整个封装的厚度为1mm。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，顶部散热器厚度为0.1mm，RDL重新布线层厚度为0.25m，SiC MOSFET芯片厚度为0.15mm，焊料层厚度为0.25mm。

4.如权利要求2或3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述环氧树脂塑封料的两次填充，第一次45℃进行连接，第二次125℃进行填充；完成...

【技术特征摘要】

1.一种低热阻板级半桥功率模块封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，采用环氧树脂塑封料填充整个封装空隙，整个封装的厚度为1mm。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，顶部散热器厚度为0.1mm，rdl重新布线层厚度为0.25m，sic mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊嘉杰，李雯钰，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：