一种太阳能电池背面结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池背面结构及其制备方法，涉及光伏技术领域，包括：单晶硅衬底、叠层多晶硅钝化层结构，金属电极主体位于叠层多晶硅钝化层背离单晶硅衬底的一侧；金属电极主体朝向叠层多晶硅钝化层的一侧析出两种不同类型的银颗粒类型I和银颗粒类型II，其中，银颗粒类型II突破第二隧穿氧化层与第一掺杂多晶硅层接触；如此，形成的新型金属接触结构，有利于优化背面细栅接触，降低电极接触电阻，提升电池填充因子，从而提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏，更具体地，涉及一种太阳能电池背面结构及其制备方法。

技术介绍

1、电池填充因子(fill factor,ff)是衡量太阳能电池性能的一个重要参数，它定义为电池最大功率点处的输出功率与开路电压(voc)和短路电流(isc)乘积之比。接触电阻指电池内部或表面电极与半导体材料之间的电阻，它直接影响着载流子的有效抽取和传输。高的接触电阻会导致电流从半导体到外部电路传输时产生额外的能量损失，从而降低电池的实际工作电压和电流，影响填充因子。具体来说，如果太阳能电池中的接触电阻较大，则会增加串联电阻，导致在相同的光照条件下，太阳能电池实际工作点的输出功率与理想状态下理论最大功率点的距离增大，进而使得填充因子减小。因此，优化接触电阻是提高太阳能电池填充因子、进而提升整体转换效率的重要途径之一。

2、鉴于此，如何优化太阳能电池的接触电阻，从而提高太阳能电池整体转换效率是本领域人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池背面结构及其制备方法，用于减小太阳能电池的接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池背面结构，其特征在于，包含单晶硅衬底、叠层多晶硅钝化层结构，所述叠层多晶硅钝化层结构位于所述单晶硅衬底的一侧；

2.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，所述银颗粒类型II在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度大于所述银颗粒类型I在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，所述银颗粒类型I在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度范围为10～200nm；所述银颗粒类型II在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度范围为21～302nm...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池背面结构，其特征在于，包含单晶硅衬底、叠层多晶硅钝化层结构，所述叠层多晶硅钝化层结构位于所述单晶硅衬底的一侧；

2.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，所述银颗粒类型ii在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度大于所述银颗粒类型i在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，所述银颗粒类型i在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度范围为10～200nm；所述银颗粒类型ii在所述叠层多晶硅钝化层结构中的长度范围为21～302nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于，所述金属电极主体包括主栅和细栅，在所述主栅和所述细栅的交接范围a内，所述细栅朝向所述叠层多晶硅钝化层结构的一面析出所述银颗粒类型i...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昕宇，余丁，赵世杰，张婷婷，李文琪，杨洁，郑霈霆，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：