【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、半导体结构工艺的制程包括微流道的制作，因现有的微流道顶部封口的工艺需求，需在半导体结构中的氧化层中开出窄的槽口，以窄槽口为突破口，掏空下面的衬底层，形成空槽作为微流道便于走水，窄槽口后续用电镀封口。
2、然而采用干法刻衬底层，则槽宽度无法打开；若采取干法刻槽结合湿法扩槽工艺，因衬底层(单晶硅)晶向特征，湿法扩槽会导致槽截面呈现菱形，其槽宽度不可控、不均一等问题，严重制约了微流道制程中的湿法扩槽工艺的稳定性。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有微流道制程中槽宽不可控、不均一导致湿法扩槽工艺的不稳定性的缺陷，从而提供一种半导体结构的制备方法。
2、本专利技术提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口；在所述半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层，同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构；在相邻的所述隔...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在相邻的所述隔离结构之间形成微流道的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底层进行湿法刻蚀的步骤包括：提供旋转机构，所述旋转机构用于控制所述半导体结构旋转；在所述旋转机构控制所述半导体结构旋转的过程中，向所述半导体衬底层具有第二开口的一侧喷洒刻蚀液，部分刻蚀液通过所述第二开口进入所述半导体衬底层进行湿法刻蚀。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在相邻的所述隔离结构之间形成微流道的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底层进行湿法刻蚀的步骤包括：提供旋转机构，所述旋转机构用于控制所述半导体结构旋转；在所述旋转机构控制所述半导体结构旋转的过程中，向所述半导体衬底层具有第二开口的一侧喷洒刻蚀液，部分刻蚀液通过所述第二开口进入所述半导体衬底层进行湿法刻蚀。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构旋转的角速度为600r/min－800r/min。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀液采用碱液，所述碱液包括四甲基氢氧化铵的水溶液，四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为5％－10％，温度为80℃－85℃；湿法刻蚀的时间为8000s－10000s。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一开口的宽度为6μm－8μm；所述第一开口的高度为所述半导体衬底层的厚度的2/75－2/15，所述第一开口的高度为20μm－1...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾明文，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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