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本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口；在半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层，同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构；在相邻的所...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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