【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体检测设备,尤其涉及晶圆测温结构。
技术介绍
1、tc wafer用于半导体机台内部测温。由于半导体工艺对环境要求极高,所有零部件不能因为本身材料挥发、脱落等原因对机台内部造成污染。现有技术中通常是把热电偶埋设在晶圆内部,每个热电偶通过外部设有保护套的导线连接到外部。
2、文献号为cn 115547946 a的中国专利技术专利申请公开了通过螺旋线部署光栅光纤,采用螺旋线的光栅光纤部署方式在测量角度基本满足测温需求,但是在螺旋线的始端,仍然存在弯曲过大的问题,且晶圆表面加工螺旋线的难度比较大。螺旋线的形成方式为:夹具夹紧晶圆匀速转动,随着转动角度的增加,刀具在晶圆表面沿着半径方向线性向外移动,在加工过程中容易导致晶圆应力的不均匀等问题,晶圆更容易破碎,且螺旋线的测温点位置计算复杂,对称性不高,给后期的温度场计算带来困难。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的缺点,本技术的目的是提供晶圆测温结构,以解决现有技术中的一个或多个问题。
2、为实现上述目的,本技
...【技术保护点】
1.晶圆测温结构,包括晶圆本体,其特征在于:所述晶圆本体的表面设置连续的线槽,所述线槽内嵌入光纤,所述光纤上任意点的曲率半径大于其所能承受的最小弯折曲率半径;
2.如权利要求1所述的晶圆测温结构,其特征在于:当每组相邻的所述第一线槽之间间隔的二分之一均大于等于光纤所能承受的最小弯折曲率半径时,所述第二线槽的直径等于需要连接的两个相邻的第一线槽之间的半径差或等于需要连接的两个不相邻的第一线槽之间的半径差。
3.如权利要求1所述的晶圆测温结构,其特征在于:当某一组相邻所述第一线槽之间间隔的二分之一小于光纤所能承受的最小弯折曲率半径时,所述第二线槽的
...【技术特征摘要】
1.晶圆测温结构,包括晶圆本体,其特征在于:所述晶圆本体的表面设置连续的线槽,所述线槽内嵌入光纤,所述光纤上任意点的曲率半径大于其所能承受的最小弯折曲率半径;
2.如权利要求1所述的晶圆测温结构,其特征在于:当每组相邻的所述第一线槽之间间隔的二分之一均大于等于光纤所能承受的最小弯折曲率半径时,所述第二线槽的直径等于需要连接的两个相邻的第一线槽之间的半径差或等于需要连接的两个不相邻的第一线槽之间的半径差。
3.如权利要求1所述的晶圆测温结构,其特征在于:当某一组相邻所述第一线槽之间间隔的二分之一小于光纤所能承受的最小弯折曲率半径时,所述第二线槽的直径等于需要连接的两个不相邻的第一线槽之间的半径差,且所述第二线槽的直径大于等于光纤所能承受...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄建华,张同雷,周晓露,周萱佑,
申请(专利权)人:涌淳半导体无锡有限公司,
类型:新型
国别省市:
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