半导体封装及其制造方法技术

公开了半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一衬底，在第一衬底的第一表面上具有第一焊盘；第二衬底，在第一衬底上并且在第二衬底的第二表面上具有多个第二焊盘；以及连接端子，在第一衬底和第二衬底之间并且相应地将第一焊盘联接到第二焊盘。每个连接端子具有平行于第一衬底的第一表面并且彼此正交的第一长轴和第一短轴。当在平面图中观察时，每个连接端子的第一短轴指向第一衬底的中心。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的各方面涉及半导体封装及其制造方法。

技术介绍

1、当今电子工业的趋势是以合理的价格制造轻质、紧凑、高速、多功能和高性能的产品。多芯片堆叠封装技术或系统级封装技术用于满足这些趋势。关于多芯片堆叠封装或系统级封装，一个半导体封装可以执行多个单位半导体器件的功能。尽管多芯片堆叠封装或系统级封装可能稍微厚于典型的单芯片封装，但是它们具有与单芯片封装的平面尺寸相似的平面尺寸，因此主要用于高端、紧凑和便携式产品，诸如移动电话、膝上型计算机、存储卡或便携式摄像机。

2、半导体器件通常使用金属凸块作为电连接端子或虚设端子。芯片集成的提高可导致芯片之间提供的焊料凸块的量的增加，这种趋势可导致许多问题。例如，金属凸块的形状异常可能导致产量下降或工艺故障，并导致半导体器件具有较差的电性能。因此，金属凸块的对准在制造半导体器件中可能是必不可少的。

技术实现思路

1、本专利技术构思的一些实施方式提供了一种具有改善的电特性的半导体封装及其制造方法。

2、本专利技术构思的一些实施方式提供了一种具有提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中每个所述连接端子的所述第一长轴与所述第一短轴的比率具有从1.2:1至2.5:1的范围中选择的值。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子中的相邻连接端子之间的间隔具有从2微米至8微米的范围中选择的值。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子具有椭圆形平面形状、矩形平面形状或多边形平面形状。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子的所述第一长轴具有随着距所述第一衬底的所述中心的距离...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中每个所述连接端子的所述第一长轴与所述第一短轴的比率具有从1.2:1至2.5:1的范围中选择的值。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子中的相邻连接端子之间的间隔具有从2微米至8微米的范围中选择的值。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子具有椭圆形平面形状、矩形平面形状或多边形平面形状。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述连接端子的所述第一长轴具有随着距所述第一衬底的所述中心的距离增加而增加的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，当在平面图中观察时，所述第二衬底在所述第一衬底上以具有从-10°至+10°选择的值的角度扭转移位。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，在所述第一焊盘和所述第二焊盘当中，当在平面图中观察时，通过一个连接端子彼此连接的一对第一焊盘和第二焊盘相对于彼此水平地移位。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中每个所述第一焊盘具有平行于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大铉，李乾实，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：