【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅片的生产,具体的说是一种解决硅片背面软损伤后掉落颗粒的方法。
技术介绍
1、金属沾污在半导体生产过程中难以避免,过量的金属沾污影响半导体器件性能和寿命,因此工业上通常利用物理方法或硅中氧固有的性质来吸除金属沾污。按照吸杂机理来说,吸除金属沾污的方式分为内吸杂和外吸杂。其中,外吸杂主要就是利用物理方式,通过各种工艺在硅片背面形成吸杂点,使金属杂质在硅片背面沉淀,达到吸杂的目的。
2、目前,现有技术中较为常用的外吸杂工艺是使用喷砂法,也就是硅片背损伤工艺,在硅片背面形成一层软损伤。这些损伤可以在ic工艺中作为吸杂的陷阱,使硅片具有非本征吸杂的能力,该工艺通常使用的材料为sio2粉。然而,若硅片背面损伤层过重,或背损伤后清洗不及时、不彻底,此时虽然硅片具备了吸杂能力,但会造成硅片在抛光后表面颗粒不合格,其原因为背损伤层过重,背面的sio2粉残留不断的脱落扩散,从而导致抛光面颗粒增加成为不合格品。通常该类产品经返洗无法解决颗粒增加的问题,最终会因颗粒不满足要求而报废,造成损失。
3、因此,如何通过特定
...【技术保护点】
1.一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于:在步骤一中,所述酸碱复合式预清洗的具体操作方式为,依次采用第一碱性清洗液-QDR-酸性清洗液-QDR-第二碱性清洗液-QDR对颗粒异常硅片进行表面清洗;
3.根据权利要求1所述的一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于:在步骤二中,所述表面清洗的具体操作方式为,依次采用QDR-酸性去离子清洗液-QDR-酸性去离子清洗液-QDR对硅片进行表面清洗;
4.根据权利要求1所述的一种背
...【技术特征摘要】
1.一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于:在步骤一中,所述酸碱复合式预清洗的具体操作方式为,依次采用第一碱性清洗液-qdr-酸性清洗液-qdr-第二碱性清洗液-qdr对颗粒异常硅片进行表面清洗;
3.根据权利要求1所述的一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其特征在于:在步骤二中,所述表面清洗的具体操作方式为,依次采用qdr-酸性去离子清洗液-qdr-酸性去离子清洗液-qdr对硅片进行表面清洗;
4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁浩哲,徐长江,王娜,杨波,
申请(专利权)人:麦斯克电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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