激光驱动阿秒电子串生成系统技术方案

技术编号:41932436 阅读:23 留言:0更新日期:2024-07-05 14:27
本申请涉及激光驱动阿秒电子串生成系统。该系统包括:左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光光源和低密度等离子体靶;位置关系为左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光光源垂直入射于低密度等离子体靶表面;左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光光源用于发射左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光与低密度等离子体靶相互作用,得到空泡结构,通过空泡结构对电子进行约束,通过左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光推动位于空泡结构前端的电子远离低密度等离子体靶,并得到高密度和低发散角的阿秒电子串。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及强激光,特别是涉及激光驱动阿秒电子串生成系统


技术介绍

1、随着激光技术的进步与发展,激光的品质得到了不断的提升,激光驱动阿秒电子串产生的相关理论与实验研究也因此得到了长足的发展。通过相对论激光与等离子体相互作用产生的高品质阿秒电子串,在自由电子激光注入、相对论电子镜、阿秒x/γ射线产生、超快物理等领域均具有极高的应用价值以及广泛的应用前景。为了能够稳定产生品质较高的阿秒电子串,人们进行了广泛的研究,提出了多种激光-等离子体相互作用的方案。

2、目前,激光驱动阿秒电子串产生的方案主要分为三种。

3、第一种是激光尾波场加速机制。该方案是利用超强激光脉冲与稀薄等离子体相互作用,在激光场的尾部激发出大振幅的等离子体波,这种等离子体波被称为尾波,激光尾波中所得到的电磁场也被称为激光尾波场。这种激光尾波场结构能够对电子实现非常有效的加速,从而实现高品质电子串的获取。2010年,luttikhof等人在模拟中将单个电子束注入尾波场中的特定位置,成功将单个电子束分离成数个阿秒电子串,其脉宽约为630as,间距为800nm,能量峰值为6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光驱动阿秒电子串生成系统,其特征在于,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述等离子体靶为氢靶、碳靶或者碳氢靶中的一种。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:平面反射镜和凹面反射镜;

【技术特征摘要】

1.一种激光驱动阿秒电子串生成系统,其特征在于,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述等离子体...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡理想余同普张文昱
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科技大学
类型:新型
国别省市:

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