【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管(LED),尤其是涉及一种大功率高亮度黄光发光二极管灯具。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting diode,简称为LED),是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。LED与小白炽灯泡和氖灯相比,具有以下特点工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。根据制造发光二极管所用的半导体材料的不同,普通单色发光二极管的发光波长不同,从而发光颜色也不同,其中黄色发光二极管的波长一般为585nm左右。现有技术的黄光LED的主要缺点在于发光亮度低,光通亮小(即流明小), 一般情况下为40-50 lm光通亮,从而造成黄光LED照明亮度不理想,即使做到亮度高但是相应的LED光衰加大。因此,如何提高黄光LED的亮度,同时保证LED的光衰不会加大,是迫切需要解决的实际问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高亮度黄色发光二极管照明灯具,其与现有技术的黄光LED相比,不仅具有更好的亮度,而且减少了LED的光衰,从而延长了大功率发光二极管的使用寿命。为实现上述目的,本专利技术的技术方案为该LED包括硅基板;在硅基板上的多个高亮度晶片;所述多个高亮度晶片上涂覆由荧光粉形成的荧光层;散热片。优选的,荧光粉的组成为Ai-x(WLyMOy)04:Eux,其中A为Li、 Na、K、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba中的至少一种;(XX^0.35; 0SySl。优选的,所述荧光胶中至少包括34%-45%的第一种硅胶,34%-45% ...
【技术保护点】
一种大功率高亮度黄光LED,其特征在于该LED包括硅基板;在硅基板上的多个高亮度晶片;所述多个高亮度晶片上涂覆由荧光粉形成的荧光层;散热片;荧光粉的组成为A↓[1-X](W↓[1-y]Mo↓[y])O↓[4]:Eu↓[x],其中A为Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一种;其中0<X≤0.35;0≤y≤1,所述荧光胶中至少包括34%-45%的第一种硅胶,34%-45%的第二种硅胶,17%-20%的荧光粉,上述第一种硅胶与第二种硅胶发生固化反应。
【技术特征摘要】
1.一种大功率高亮度黄光LED,其特征在于该LED包括硅基板;在硅基板上的多个高亮度晶片;所述多个高亮度晶片上涂覆由荧光粉形成的荧光层;散热片;荧光粉的组成为A1-X(W1-yMoy)O4:Eux,其中A为Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一种;其中0<X≤0.35;0≤y≤1,所述荧光胶中至少包括34%-45%的第一种硅胶,34%-45%的第二种硅胶,17%-20%的荧光粉,上述第一种硅胶与第二种硅胶发生固化反应。2. 根据权利要求1所述的大功率高亮度黄光LED,其特征在于上述第一种硅胶为6175A硅胶,第二种硅胶为6175B硅胶。3. 根据权利要求1所述的大功率高亮度黄光LED,其特征在于所述荧光层的制作步骤为用硅胶将荧光粉配置成荧光胶;抽真空;其次荧光胶在固焊后的LED原材料层上点制荧光层;烘烤成型。4. 一种大功率高亮度黄光LED制法,包...
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