半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。半导体装置可以包括：绝缘基板，其形成为上表面暴露在模塑部的外部；半导体芯片，其形成在所述绝缘基板的下表面上；漏极连接引线，其一部分在所述绝缘基板的下表面形成形状为沿着第一方向或垂直于所述第一方向的第二方向延伸的接合，另一部分形成能够与外部装置连接的端子；以及源极连接引线，其一部分通过连接件(connection)与所述半导体芯片形成电连接，另一部分形成能够与外部装置连接的端子。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、功率半导体器件是一种传输、控制和转换功率的半导体，其重要性日益增加，特别是在高功率应用(application)中，如应用于环保型车辆(例如，混合动力汽车(hev，hybridelectric vehicle)、电动汽车(ev，electric vehicle)、插电式混合动力汽车(phev，plug-in hybrid electric vehicle)和氢燃料电池汽车(fcev，fuel cell electricvehicle))。功率半导体器件可以在高电流和高电压下工作，因此要求高效率和稳定性。例如，igbt(绝缘栅双极型晶体管)作为结合mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗特性和bjt(双极结型晶体管)的低传导(conduction)损耗特性的功率电子装置，适合应用于保持高开关速度以及高电压。再比如，sic(碳化硅)作为高性能半导体材料，与硅相比，具有高导电性、高导热性、高温下的装置运行可能性、高电压和电流密度、高开关速度等，sic半导体可能适合高功率、高温或高频应用。功率半导体器件在工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：严柱阳，金仁锡，尹基明，李宅根，权纯号，
申请(专利权)人：株式会社电源大师，
类型：发明
国别省市：