【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、功率半导体器件是一种传输、控制和转换功率的半导体，其重要性日益增加，特别是在高功率应用中，如应用于环保型车辆(例如，混合动力汽车(hev)、电动汽车(ev)、插电式混合动力汽车(phev)和氢燃料电池汽车(fcev))。例如，igbt(绝缘栅双极型晶体管)作为结合mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗特性和bjt(双极结型晶体管)的低传导(conduction)损耗特性的电力电子装置，适合应用于保持开关速度快且电压高。再比如，sic(碳化硅)作为高性能半导体材料，与硅相比，具有高导电性、高导热性、高温下的装置运行可能性、高电压和电流密度、高开关速度等，sic半导体可能适合高功率、高温或高频应用。
2、功率半导体器件在工作期间产生大量的热量，当这些热量在装置内积聚时，可能会造成严重的损坏。因此，热量管理是功率半导体封装件设计中非常重要的考虑因素。就此而言，由于单面冷却方式仅在一个表面(一般为模块的下侧)散热，散热能力有限，对于高功率密度的功率半导体器件来说可能会不充分。相比之下，在双面冷却方式中，由于在模块的两侧都散热，与单面冷却方式相比，能够更快地分散更多的热量，因此降低模块的工作温度，从而改善功率半导体器件的性能和寿命。
技术实现思路
1、技术问题
2、要解决的一个问题是提供一种能够增加散热效果、改善热阻特性、降低电阻的半导体装置。
3、要解决的另一个问题是提供一种能够简化制造工艺、增
4、技术方案
5、根据一个实施例的半导体装置可以包括：基板，其形成为沿第一方向延伸；第一半导体芯片，其形成在所述基板上；第二半导体芯片，其沿所述第一方向与所述第一半导体芯片隔开预定间隔形成在所述基板上；第一引线架，其下表面连接于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片各自的上表面，并形成为沿所述第一方向向外部延伸超出所述基板；以及散热片，其在所述第一引线架上形成在对应于所述多个半导体芯片的位置上，所述第一引线架包括第一槽区域，其形成在所述下表面中与所述第一半导体芯片的上表面连接的区域和所述下表面中与所述第二半导体芯片的上表面连接的区域之间。
6、在一些实施例中，所述第一引线架还可以包括第二槽区域，其形成在所述下表面中与所述第二半导体芯片的上表面连接的区域和所述下表面中向所述外部延伸的区域之间。
7、在一些实施例中，所述第二槽区域的宽度可以小于所述第一槽区域的宽度。
8、在一些实施例中，所述第一槽区域的槽深和所述第二槽区域的槽深可以形成为所述第一引线架厚度的80％以内。
9、在一些实施例中，所述第一引线架还可以包括第一弯曲区域，其在所述下表面中向所述外部延伸的区域上，使得沿所述第一方向的所述第一引线架的延伸从沿垂直于所述第一方向的第二方向移动预定距离处延续。
10、在一些实施例中，所述第一引线架在向所述外部延伸的区域与第二引线架连接，所述半导体装置还可以包括第一接触区域，其包括彼此接触的第一引线架的一部分和所述第二引线架的一部分。
11、在一些实施例中，所述第一引线架还可以包括第二弯曲区域，其在所述下表面中向所述外部延伸的区域上，使得沿所述第一方向的所述第一引线架的延伸从沿垂直于所述第一方向的第二方向移动预定距离处延续。
12、在一些实施例中，所述第二弯曲区域可以形成为邻近所述第一接触区域。
13、在一些实施例中，所述第一引线架可以包括第三弯曲区域和第四弯曲区域，其形成在所述下表面中与所述第一半导体芯片的上表面连接的区域和所述下表面中与第二半导体芯片的上表面连接的区域之间。
14、在一些实施例中，所述第一引线架还可以包括第五弯曲区域，其形成在所述下表面中与第二半导体芯片的上表面连接的区域和所述下表面中向所述外部延伸的区域之间。
15、在一些实施例中，所述第一引线架在向所述外部延伸的区域与第二引线架连接，所述半导体装置还可以包括第二接触区域，其包括彼此接触的第一引线架的一部分和所述第二引线架的一部分。
16、在一些实施例中，所述第一引线架还可以包括第六弯曲区域，其在所述下表面中向所述外部延伸的区域上，使得沿所述第一方向的所述第一引线架的延伸从沿垂直于所述第一方向的第二方向移动预定距离处延续。
17、在一些实施例中，所述第六弯曲区域可以形成为邻近所述第二接触区域。
18、在一些实施例中，所述散热片在与所述第一半导体芯片的上表面连接的区域中可以形成在所述第三弯曲区域前。
19、在一些实施例中，所述散热片可以形成在所述第四弯曲区域至所述第五弯曲区域之间。
20、在一些实施例中，所述散热片可以包括：下金属层，其连接于所述第一引线架的上表面；以及绝缘层，其形成在所述下金属层上。
21、在一些实施例中，所述散热片还可以包括上金属层，其形成在所述绝缘层上。
22、专利技术效果
23、根据实施例，可以提供一种能够增加散热效果、改善热阻特性、降低电阻的半导体装置。另外，可以提供一种能够简化制造工艺、增加工艺生产率、改善收率、降低制造成本的半导体装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：严柱阳，尹基明，李宅根，权纯号，
申请(专利权)人：株式会社电源大师，
类型：发明
国别省市：
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