形成复合材料电路板结构的方法技术

一种形成复合材料电路板结构的方法。首先，提供一复合材料结构，其包括一基材与位于基材上的一复合材料介电层。此复合材料介电层包括接触基材的一催化介电层，以及接触催化介电层的至少一牺牲层。此牺牲层不溶于水。然后，图案化复合材料介电层同时活化催化颗粒。接下来，形成一导线层，其选择性沉积在被活化的催化介电层表面。继续，移除至少其中一牺牲层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种。特别来说，本专利技术是关于一 种包括催化颗粒的复合材料，用以协助形成一电路板结构。
技术介绍
电路板是电子装置中的一种重要的组件。为了追求更薄的成品厚度、因应细线路 的需求、突破蚀刻与置信度的缺点，嵌入式线路结构已逐渐兴起。由于嵌入式线路结构是将 线路图案埋入基材中，因此有助于减少封装成品的厚度。就目前的技术而言，已知有数种方法以形成此等电路板。其中一种方法是使用激 光将基材图案化，来定义一镶嵌形式的结构，再使用一导电材料来填满形成在基材上的凹 穴，以完成一埋入式线路结构。一般说来，基材的表面要先经过活化，才能使得导电材料成功地填满在基材上的 凹穴，通常是使用无电电镀的技术。就当前的技术方案而言，其制作方式是直接线路设计。 例如前述使用激光将基材图案化，来定义一镶嵌形式的结构，再使用一导电材料来填满形 成在基材上的凹穴，以完成一嵌入式线路结构。请参考图1，例示现有无电电镀技术造成电镀满溢(over-plating)的现象。若是 使用无电电镀的技术将导电材料130，例如铜，填入基材101中预先形成凹穴122的过程中， 首先，很容易造成电镀满溢(over-plating)的现象。电镀满溢一旦发生时，一方面，导电材 料130会沿着凹穴开口的转角处向四面八方延伸。由于当前技术都着重于细线路的开发， 故同一线路层中的线距都被设计成尽可能的窄。沿着凹穴122开口向四面八方延伸的导电 材料130显着地增加了相邻导线间短路的机会，还会使得药液生产管控不易。另一方面，原 本应该填入基材101凹穴122中的导电材料130也可能会附着在基材101的表面，形成表 面污染，结果导致了产品的良率不佳。其中任何一种结果都是本领域的技术人员所不乐见 的。因此，以上缺点实在有待克服。
技术实现思路
本专利技术于是提出一种。本专利技术形成复合材料电路 板结构的方法，具有选择性无电电镀沉积的特性，从而降低电镀满溢的发生，于是得以避免 导电材料沿着凹穴的开口向四面八方延伸的问题。另外，由于选择性无电电镀沉积的特性， 原本应该填入基材凹穴中的导电材料就几乎不会附着在基材的表面，从而减少导电材料沉 积在基材表面不正确的区域的机会与降低导线间短路的风险。本专利技术首先提出一种。首先，提供一复合材料结 构。此复合材料结构包括一基材与位于基材上的一复合材料介电层。此复合材料介电层则 包括接触基材的一催化介电层，以及接触催化介电层的一牺牲层。牺牲层不溶于水。然后， 图案化复合材料介电层同时活化催化颗粒。接下来，形成位于经活化催化颗粒上的一导线 层。继续，移除牺牲层。较佳者，导线层表面最高点与最低点的差距不大于3 μ m。本专利技术其次提出一种。首先，提供一复合材料结 构。此复合材料结构包括一基材与位于基材上的一复合材料介电层。此复合材料介电层 则包括接触基材的一催化介电层、接触催化介电层的内牺牲层以及接触内牺牲层的外牺牲 层。内牺牲层不溶于水。然后，图案化复合材料介电层同时活化催化颗粒。接下来，移除外 牺牲层。其次，形成位于活化催化颗粒上的一导线层。继续，移除内牺牲层。较佳者，导线 层表面最高点与最低点的差距不大于3 μ m。附图说明图1例示现有无电电镀技术造成电镀满溢的现象。图2至图7B例示形成本专利技术形成复合材料电路板结构方法的示意图。其中，附图标记说明如下101 基材122 凹穴130 导电材料200 复合材料结构201 基材202复合材料介电层210催化介电层211 介电材料212催化颗粒220 牺牲层221 外牺牲层222 内牺牲层225 沟槽具体实施例方式本专利技术提供一种。于本专利技术形成复合材料电路板 结构方法中的复合材料，具有选择性无电电镀沉积的效果，所以可以降低复合材料在无电 电镀时电镀满溢的发生，与避免导电材料沿着凹穴的开口向四面八方延伸的问题。另外，原 本应该填入基材凹穴中的导电材料亦不容易沉积在基材表面上其它不预期的区域，从而降 低导线间短路的风险。本专利技术于是提供一种。图2至图7B 例示形成本专利技术形成复合材料电路板结构方法的示意图。如图2所示，本专利技术形成复合材 料电路板结构的方法，首先提供一复合材料结构200。复合材料结构200包括一基材201以 及一复合材料介电层202。本专利技术复合材料结构200中的基材201可以为一多层电路板，例 如埋入式线路结构电路板和/或非埋入式线路结构电路板。复合材料介电层202即直接位 于基材201上。复合材料介电层202可以包括一催化介电层210以及一牺牲层220。催化介 电层210可以包括一介电材料211与至少一催化颗粒212。催化颗粒212会分散于介电材 料211中。一但使用例如激光活化以后，催化介电层210在此催化颗粒212的帮助下，可以 诱导一导电材料的沉积。一方面，本专利技术复合材料结构200中的介电材料211可以包括一高5分子材料，例如环氧树脂、改质的环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、 聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂(bismaleimide triazine modified epoxy resin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸 乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子(liquid crystalpolyester,LCP), 聚酰胺(PA)、尼龙6、共聚聚甲醛(POM)、聚苯硫醚(PPS)或是环状烯烃共聚物(COC)等等。 另一方面，本专利技术复合材料结构200中的催化颗粒212可以包括金属的配位化合物所形成 的多个纳米颗粒。适当的金属的配位化合物可以是金属氧化物、金属氮化物、金属络合物、 和/或金属螯合物。金属的配位化合物中的金属可以为锌、铜、银、金、镍、钯、钼、钴、铑、铱、 铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、和/或钛等等。牺牲层220即位于复合材料介电层202的外表 面上，或是覆盖催化介电层210。牺牲层220可以由一绝缘材料所组成，例如，聚酰亚胺，而 成为绝缘牺牲层。视不同状况而定，牺牲层220可以为单层结构或是多层结构，其厚度最多 可达25 μ m。以下将分别说明牺牲层220为单层结构或是多层结构的实施态样。如果牺牲层220为单层结构时，如图3所示，接下来图案化整个复合材料介电层 202。图案化复合材料介电层202时，会形成沟槽225，同时活化催化颗粒212。图案化复合 材料介电层202的方式可以使用物理方法。例如，可以使用激光烧蚀工艺或等离子蚀刻工 艺。其中，可以使用红外线激光、紫外线激光、准分子(Excimer)激光或远红外线激光等激 光光源来进行激光烧蚀工艺。接着，如图4所示，形成一导线层230。导线层230会嵌入图案化复合材料介电层 202的沟槽225中，故位于活化了的催化颗粒上。可以使用例如无电电镀方法，将导电材 料，例如化铜，填入图案化复合材料介电层202的沟槽225中，形成导线层230。在活化了 催化颗粒212的诱导下，导电材料应该主要会沉积在沟槽225中，而非活化了的催化颗粒以 外处。本专利技术的复合材料，可以选择性使得无电电镀沉积在催化介电层210被活化的沟槽 225表面，所以当复合材料介电层202在进行电镀时，可以降低电镀满溢的发生与避免导电 材料从沟槽225的开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成复合材料电路板结构的方法，包括：提供复合材料结构，包括：基材；位于该基材上的复合材料介电层，包括：催化介电层，接触该基材，其中该催化介电层包括介电材料与催化颗粒；以及牺牲层，接触该催化介电层，且不溶于水；图案化该复合材料介电层并活化该催化颗粒；形成位于该活化催化颗粒上的导线层；以及移除该牺牲层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾子章，余丞博，刘文芳，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71