【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包括用于存储器器件的混合氧化物电荷俘获材料的三维存储器器件及其形成方法。
技术介绍
1、每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high-densitymemory with a stacked-surrounding gatetransistor(s-sgt)structured cell)”，iedmproc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器器件，该存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于衬底上方；竖直地延伸穿过该交替堆叠的存储器开口；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括竖直半导体沟道和存储器膜，其中该存储器膜包括：隧穿介电层，该隧穿介电层与该竖直半导体沟道接触；第一介电氧化物材料部分的第一竖直堆叠，其位于该绝缘层...
【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分具有组成梯度，其中所述第二元素的原子浓度随着距与所述第一介电氧化物材料部分的最近侧界面的距离而增加。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分中的每一个第二介电氧化物材料部分的横向厚度大于所述第一介电氧化物材料部分中的每一个第一介电氧化物材料部分的横向厚度。
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分具有组成梯度，其中所述第二元素的原子浓度随着距与所述第一介电氧化物材料部分的最近侧界面的距离而增加。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分中的每一个第二介电氧化物材料部分的横向厚度大于所述第一介电氧化物材料部分中的每一个第一介电氧化物材料部分的横向厚度。
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分中的一个第二介电氧化物材料部分接触：
7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述竖直半导体沟道包括硅沟道，并且相对于所述导电层的费米层级或所述竖直半导体沟道的导带中的至少一者，所述混合介电氧化物材料的导带偏移在2.3ev与2.5ev之间。
8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第一元素和所述第二元素的组合选自：
9.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二介电氧化物材料部分具有选自以下的平均材料组成：
10.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述阻挡介电材料部分中的每一个阻挡介电材料部分包括背侧阻挡介电层，所述背侧阻挡介电层嵌入有所述导电层中的相应导电层并且包括接触所述绝缘层中的相应上覆绝缘层的底部表面的相应上水...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·N·B·赛义德，S·卡纳卡梅达拉，R·S·马卡拉，张鹏，张艳丽，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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