【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地，本专利技术涉及氮化物基半导体电路。更具体地，本专利技术涉及具有连接夹以改善电连接的氮化物基半导体电路。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，以满足高功率/频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件的例子还包括异质结双极晶体管(hbt)，异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
技术实现思路
1、在一个方面，本专利技术提供了一种氮化物基半导体电路。氮化物基半导体电路包括载体，氮化物基半导体晶粒和多个连接夹。所述氮化物基半导体电路具有多个第一连接表面，所述第一连接表面围绕所述载体，且所述连接夹连接所述氮化物基半导体晶粒与所述第一连接表面。所述载体具有容纳孔。所述氮化物基半导体晶粒被布置在所述容纳孔中。每个连接夹具有接地表面，并述接地表面位于所述氮化物基半导体电路的顶部...
【技术保护点】
1.一种氮化物基半导体电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述氮化物基半导体晶粒包括：
3.根据权利要求2所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述载体具有第二顶表面，所述第二顶表面围绕所述第一顶表面，且所述第二顶表面与所述第一顶表面共面。
4.根据权利要求3所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，还包括第一介电层，其中所述第一介电层覆盖所述第一顶表面和围绕所述第一顶表面的所述第二顶表面的一部分。
5.根据权利要求4所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述第一介电层的一部分围...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述氮化物基半导体晶粒包括：
3.根据权利要求2所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述载体具有第二顶表面，所述第二顶表面围绕所述第一顶表面，且所述第二顶表面与所述第一顶表面共面。
4.根据权利要求3所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，还包括第一介电层，其中所述第一介电层覆盖所述第一顶表面和围绕所述第一顶表面的所述第二顶表面的一部分。
5.根据权利要求4所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述第一介电层的一部分围绕所述氮化物基半导体晶粒。
6.根据权利要求4所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，还包括多个导电层，其中所述导电层设置在所述第一介电层上，每个导电层都连接到所述连接焊盘中的一个，且所述连接夹电连接到所述导电层。
7.根据权利要求6所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，还包括多个焊料层，其中每个焊料层连接所述导电层中的一个与所述连接夹中的一个。
8.根据权利要求7所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，每个导电层具有第二连接表面，所述第二连接表面被所述焊料层中的一个覆盖，且所述接地表面大于所述第二连接表面。
9.根据权利要求8所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，所述接地表面覆盖所述第二连接表面。
10.根据权利要求1所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，还包括第二介电层，其中所述第二介电层将所述连接夹封装到所述载体，且所述接地表面和所述第一连接表面不被所述第二介电层覆盖。
11.根据权利要求1所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，每个连接夹包括：
12.根据权利要求11所述的氮化物基半导体电路，其特征在于，每个第二连接部具有第二底表面，所述载体具有第三底表面，且所述第二底表面和所述第三底表面共面。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：朱益峰，曹凯，陈邦星，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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