半导体元件和半导体装置制造方法及图纸

半导体元件包括：具有朝向厚度方向的一方的主面的元件主体；形成在所述主面上，与所述元件主体导通的配线层；和形成在所述配线层上，与所述配线层导通的主面电极。所述主面电极的在所述厚度方向上观察的外边缘具有角部。所述配线层具有：在所述厚度方向上观察时沿着所述主面电极的外边缘延伸的第一端缘；和与所述第一端缘相连且在所述厚度方向上观察时与所述角部相对的第二端缘。所述第二端缘包含：在所述厚度方向上观察时，到所述主面电极的外边缘的沿着所述第二端缘的垂直方向的距离比从所述第一端缘到所述主面电极的外边缘的沿着所述第一端缘的垂直方向的距离大的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体元件和半导体装置。

技术介绍

1、以往，在各种工业设备和汽车等的电流控制中，使用具有开关功能的半导体元件。在这样的半导体元件中，形成有mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)或igbt(insulated gate bipolartransistor：绝缘栅双极晶体管)等开关电路。例如，在专利文献1中公开了具有半导体元件(mosfet)的半导体装置的一例。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-5323号公报。

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、半导体元件在其使用时，由于外部环境和自发热，温度会发生变化。半导体元件由热膨胀系数不同的各种材料构成，因此由于温度变化而在各部位产生热应力。因此，需要抑制由热应力引起的不良情况的产生。

3、本专利技术的一个目的在于提供一种与现有技术相比实施了改良的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

4.根据权利要求2或3所述的半导体元件，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于：

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体元件，其特征在于：

10.根据权利要求1～9中任一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

4.根据权利要求2或3所述的半导体元件，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于：

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体元件，其特征在于：

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【专利技术属性】
技术研发人员：田中博文，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：