温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠、包括竖直半导体沟道和存储器膜的存储器开口填充结构。该存储器膜包括与该竖直半导体沟道接触的隧穿介电层、位于该绝缘层的层级处并且包括第一元素的介电氧化物材料的第一介电氧化物材料部分的第一...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。