【技术实现步骤摘要】
本申请涉及三极管,尤其涉及一种真空三极管、电子器件及电子设备。
技术介绍
1、基于集成电路加工工艺的片上微型真空三极管,同时具备真空电子器件抗辐射、耐高温、电子传输速度快、小型化、片上化、可集成等优点,有望成为突破固态器件“摩尔极限”的解决方案之一。
2、目前,绝大部分的片上微型真空三极管是基于场致电子发射(即场发射),然而,现有的场发射片上微型真空三极管存在各种的弊端,如电子发射性能不稳定、均一性差、加工工艺难度高等。
技术实现思路
1、本申请提供一种真空三极管、电子器件及电子设备,提供了一种采用表面隧穿电子源(即发射体)的片上微型真空三极管。
2、本申请提供一种真空三极管,该真空三级管包括:衬底以及设置在衬底上的第一驱动电极、第二驱动电极、第一绝缘层、栅极。其中,第一驱动电极与第二驱动电极分布在衬底上、且第一驱动电极与第二驱动电极之间具有第一间隙。第一绝缘层在位于第一间隙的所在区域、且在靠近收集电极的表面具有表面隧穿电子源,表面隧穿电子源与第一驱动电极、第二驱动
...【技术保护点】
1.一种真空三极管,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的真空三极管,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的真空三极管,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的真空三极管,其特征在于,
5.根据权利要求1或2所述的真空三极管,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的真空三极管,其特征在于,
7.根据权利要求1-6任一项所述的真空三极管,其特征在于,
8.根据权利要求1-7任一项所述的真空三极管,其特征在于,所述第一绝缘层中包括:氧化硅、氧化铝、玻璃、石英、氧化镁、氧化钛、氧化铬、
...【技术特征摘要】
1.一种真空三极管,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的真空三极管,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的真空三极管,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的真空三极管,其特征在于,
5.根据权利要求1或2所述的真空三极管,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的真空三极管,其特征在于,
7.根据权利要求1-6任一项所述的真空三极管,其特征在于,
8.根据权利要求1-7任一项所述的真空三极管,其特征在于,所述第一绝缘层中包括:氧化硅、氧化铝、玻璃、石英、氧化镁、氧化钛、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化铜、氧化锌、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化铌、氧化钼、氧化锡、氧化镧、氧化铪、氧化钽、氧化...
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