芯片切割方法技术

本发明专利技术提供一种芯片切割方法，通过在芯片靠近第一侧的位置设置有互连焊盘，在切割道靠近第二侧的位置设置有测试焊盘，并且沿着切割道靠近第一侧的位置切割晶圆，从而尽可能缩小切割后的独立芯片中互连焊盘与芯片边缘的距离，进而缩小封装时芯片的互连焊盘与其他芯片的互连焊盘之间的金属连线长度，降低金属线所产生的电容，提高电信号传输速度，改善芯片性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片切割方法。

技术介绍

1、随着集成电路行业的不断发展，芯片集成度越来越高，芯片尺寸不断缩小，芯片封装技术也在不断更新换代。

2、若采用fanout（扇出型）封装制程，芯片在重新排布时，芯片边缘与芯片边缘之间距离是有要求的，如图3所示，为了实现高密度dram（dynamic random access memory，动态随机存储器）芯片100-1与isp（image signal processing，图像信号处理）芯片100’-1的互连，dram芯片与isp芯片在重新排布时，芯片边缘与芯片边缘之间的距离d13一般需要至少150µm，也就是说dram芯片的互连焊盘101与isp芯片的互连焊盘101’之间的金属连线的长度d1必然会超过150µm，互连焊盘之间的金属连线越长，金属线所产生的电容会越大，电信号传输速度越慢，进而影响芯片性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种芯片切割方法，降低金属线所产生的电容，提高电信号传输速度，改善芯片性能。...

【技术保护点】

1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，切割后的独立芯片中所述第一侧残留的切割道宽度小于10µm。

3.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，切割前的相邻芯片之间的切割道总宽度为60µm-160µm。

4.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，采用激光隐切的方式切割所述晶圆。

5.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，采用先激光刻槽再二次切割的方式切割所述晶圆。

6.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，适用于扇出型芯片封装工艺。

【技术特征摘要】

1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，切割后的独立芯片中所述第一侧残留的切割道宽度小于10µm。

3.如权利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，切割前的相邻芯片之间的切割道总宽度为60µm-160µm。

【专利技术属性】
技术研发人员：夏欢，徐磊，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：