【技术实现步骤摘要】
本申请实施方式涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及一种半导体器件、一种制备半导体器件的方法以及一种存储系统。
技术介绍
1、在一种存储类半导体器件中，采用三维结构来构造存储单元。三维结构包括叠层结构和设置于叠层结构中的沟道结构。通过位于沟道结构上方的接触结构，沟道结构所属的存储阵列可与半导体器件中用于控制信号进出存储阵列的外围电路电连接。在通过例如刻蚀工艺形成容纳接触结构的接触孔的过程中，容易出现过刻蚀，过刻蚀导致的漏电问题影响半导体器件的电性能。
技术实现思路
1、本申请实施方式提供一种可至少部分地解决相关技术中存在的上述问题或本领域其它问题的半导体器件、制备半导体器件的方法及存储系统。
2、本申请一方面提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：叠层结构，包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和栅极导体层，其中所述栅极导体层沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；顶部选择堆叠结构，设置于所述叠层结构上，并包括位于远离所述叠层结构一侧的停止层；栅线缝隙结构，沿所述第一方向贯穿所述顶...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
2.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，所述顶部选择堆叠结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
2.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，所述顶部选择堆叠结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述顶部选择堆叠结构还包括沿所述第二方向位于所述顶部选择栅极层与所述栅线缝隙结构之间的第二隔离层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二隔离层和所述第一隔离层由相同材料形成。
11.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
12.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志斌，谢景涛，张坤，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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