【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体器件，以及半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、半导体器件例如igbt(insulate gate bipolar transistor，绝缘栅双极结型晶体管)是车辆和一些功率设备常用的器件。
2、相关技术中，具有终端的半导体器件，器件有源区和终端区的集电区的掺杂浓度相同。如此，当半导体器件关断时，终端上方漂移区所存储的大量空穴只能从终端主结处的场板抽走。由于空穴不能直接从终端的浮空场环结构处被抽走，导致空穴在终端的等位环处集中，这将导致空穴的抽取时间变长，器件的关断速度变慢以及关断损耗增加。并且，由于终端主结处空穴电流的局部积聚效应，容易导致局部高压大电流的产生，从而导致器件温度急剧升高，引起器件的动态雪崩击穿和热击穿，最终导致器件烧毁。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种半导体器件，该半导体器件可以提高关断速度、降低关断损耗，减小终端主结处空穴电流的局部积聚效...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个所述集电子区包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电子区位于所述元胞区，所述第二集电子区位于所述终端区并延伸至靠近所述终端区与所述元胞区分界处的元胞区中，所述第一集电子区与所述第二集电子区位于所述元胞区的一端连接。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电子区位于所述元胞区并延伸至靠近所述元胞区与所述终端区分界处的终端区，所述第二集电...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个所述集电子区包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电子区位于所述元胞区，所述第二集电子区位于所述终端区并延伸至靠近所述终端区与所述元胞区分界处的元胞区中，所述第一集电子区与所述第二集电子区位于所述元胞区的一端连接。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电子区位于所述元胞区并延伸至靠近所述元胞区与所述终端区分界处的终端区，所述第二集电子区位于所述终端区，所述第二集电子区与所述第一集电子区位于所述终端区的一端连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个所述集电子区包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二集电子区位于所述终端区内，所述第三集电子区位于所述元胞区内，所述第三集电子区与所述第二集电子区在所述终端区与所述元胞区的分界处连接。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二集电子区位于所述终端区并延伸至靠近所述终端区与所述元胞区分界处的元胞区，所述第三集电子区位于所述元胞区内，所述第三集电子区与所述第二集电子区位于所述元胞区的一端连接。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：许园波，陈小龙，常乐，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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